半導体装置及びその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：佐藤強
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-133602
公開番号（公開出願番号）：特開平11-330322
出願日： 1998年05月15日
公開日（公表日）： 1999年11月30日
要約：

【要約】【課題】配線基板上に実装された半導体素子の熱を確実に放熱する。【解決手段】プリント基板21中にはスルーホール26及び放熱層25が形成されており、プリント21上に搭載されたICチップ22の熱はスルーホール26を通じて放熱層25から放熱される。ここで、プリント基板21を貫通するように高熱伝導領域28が形成されており、その高熱伝導領域28が放熱層25と伝熱的に接続されている。また、プリント基板21上にはICチップ22を囲繞するように放熱用部材29が搭載されており、その放熱用部材29が高熱伝導領域28に接着されている。従って、ICチップ33の熱はスルーホール26、放熱層25及び放熱用部材29を通じて放熱されるので、放熱効率を高めることができる。

請求項（抜粋）：

配線基板上に実装された半導体素子の熱を当該配線基板中に設けられた高熱伝導領域を通じて放熱する構成の半導体装置において、前記配線基板上に前記高熱伝導領域に伝熱的に設けられた放熱用部材を備えたことを特徴とする半導体装置。

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開平3-187295
特開昭61-292997
プリント回路板及びその放熱方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-269485 出願人：ソニー株式会社

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