特許
J-GLOBAL ID：200903051905860002
活性領域のラテラル過成長によって製造された分布帰還型レーザ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
吉田 研二 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-004591
公開番号（公開出願番号）：特開2001-203422
出願日： 2001年01月12日
公開日（公表日）： 2001年07月27日
要約：
【要約】【課題】 利得結合型DFB GaNレーザを提供する。【解決手段】 基板102と、アルミニウム、ガリウム、インジウム、及び窒素のうちの少なくとも一つを含む合金を有している活性層110と、前記アルミニウム、ガリウム、インジウム、及び窒素のうちの少なくとも一つを含む合金を有し前記活性層110の下側にある下側のクラッド層106と、前記アルミニウム、ガリウム、インジウム、及び窒素のうちの少なくとも一つを含む合金を有し前記活性層110の上側にある上側クラッド層123と、を備え、前記下側及び上側クラッド層106、123の少なくとも一方における周期的変動が、分布型光学的フィードバックを提供する分布帰還型レーザ100である。
請求項（抜粋）：
基板材料と、アルミニウム、ガリウム、インジウム、及び窒素のうちの少なくとも一つを含む合金を有している活性層と、前記アルミニウム、前記ガリウム、前記インジウム、及び前記窒素のうちの少なくとも一つを含む合金を有しており、前記活性層の第1の側にある第1のクラッド層と、前記アルミニウム、前記ガリウム、前記インジウム、及び前記窒素のうちの少なくとも一つを含む合金を有しており、前記活性層の第2の側にある第2のクラッド層と、を備え、前記第1及び第2のクラッド層の少なくとも一方における周期的変動が、分布型光学的フィードバックを提供することを特徴とする分布帰還型レーザ。
引用特許：
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