特許

J-GLOBAL ID：200903098943979575

3族窒化物半導体レーザ素子

発明者： 小出 典克 ,  小池 正好 ,  山崎 史郎 ,  永井 誠二 ,  赤崎 勇 ,  天野 浩
出願人/特許権者： 豊田合成株式会社 ,  赤崎 勇 ,  天野 浩
代理人 (1件)： 藤谷 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-340511
公開番号（公開出願番号）：特開平10-163577
出願日： 1996年12月04日
公開日（公表日）： 1998年06月19日
要約：

【要約】【課題】単一モード光を発振する3族窒化物半導体レーザ素子を提供すること。【解決手段】3族窒化物半導体レーザ素子において、活性層5より発光した光が伝搬するn型クラッド層4とp型クラッド層とに挟まれた領域内に回折格子を形成した。回折格子はブラッグ波長の光だけを活性層に帰還させるので、その結果このレーザ素子が発光する光は単一モード光となった。

請求項（抜粋）：

活性層及びその活性層を挟み込むクラッド層が3族窒化物半導体で構成されたレーザ素子において、活性層から発光した光を伝搬するクラッド層で挟まれた領域内に回折格子を形成したことを特徴とする3族窒化物半導体レーザ素子。

IPC (2件)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00

FI (2件)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00 C

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体レーザ装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-005475   出願人：株式会社日立製作所
• 半導体発光素子およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-007048   出願人：松下電器産業株式会社
• 半導体レーザ装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-070597   出願人：株式会社日立製作所, 日立電線株式会社
• 半導体レーザ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-190466   出願人：松下電器産業株式会社