特許

J-GLOBAL ID：200903051923925014

GaN系電界効果トランジスタ

発明者： 佐藤 義浩 ,  野村 剛彦 ,  神林 宏
出願人/特許権者： 古河電気工業株式会社
代理人 (1件)： 酒井 宏明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-004949
公開番号（公開出願番号）：特開2009-170546
出願日： 2008年01月11日
公開日（公表日）： 2009年07月30日
要約：

【課題】簡易な製造工程によって形成可能なノーマリーオフ型のGaN系FETを提供すること。【解決手段】本発明においては、ソース電極S直下およびドレイン電極D直下にそれぞれn-AlGaN層16を形成し、さらにn-AlGaN層16の間に位置するチャネル層であるp-GaN層14上に形成される絶縁膜17の上にゲート電極Gを形成することによって、ソース電極Sおよびドレイン電極Dとn-AlGaN層16との接触抵抗を低下させたノーマリーオフ型のGaN系のFET1を実現することができる。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

ソース電極と、 ドレイン電極と、 p-GaN半導体材料によって形成されるチャネル層と、 前記ソース電極直下および前記ドレイン電極直下にそれぞれ形成されたn-AlGaN半導体材料層と、 前記n-AlGaN半導体材料層の間に位置する前記チャネル層上に形成される絶縁膜と、 前記絶縁膜上に形成されるゲート電極と、 を備えたことを特徴とするGaN系電界効果トランジスタ。

IPC (8件)：

H01L 21/338 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/812 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/28 ,  H01L 29/41 ,  H01L 29/423 ,  H01L 29/49

FI (7件)：

H01L29/80 H ,  H01L29/80 F ,  H01L29/78 301B ,  H01L29/78 301V ,  H01L21/28 301B ,  H01L29/44 L ,  H01L29/58 G

Fターム (67件)：

4M104AA04 ,  4M104AA07 ,  4M104BB14 ,  4M104DD34 ,  4M104DD37 ,  4M104DD68 ,  4M104FF01 ,  4M104FF04 ,  4M104FF13 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  5F102FA03 ,  5F102GB01 ,  5F102GB04 ,  5F102GC01 ,  5F102GD10 ,  5F102GJ03 ,  5F102GK04 ,  5F102GK08 ,  5F102GL04 ,  5F102GN04 ,  5F102GN08 ,  5F102GQ01 ,  5F102GQ10 ,  5F102GR01 ,  5F102GR04 ,  5F102GR17 ,  5F102HC01 ,  5F102HC15 ,  5F140AA40 ,  5F140BA06 ,  5F140BA09 ,  5F140BA17 ,  5F140BB06 ,  5F140BB18 ,  5F140BC12 ,  5F140BC15 ,  5F140BD04 ,  5F140BD06 ,  5F140BD07 ,  5F140BD09 ,  5F140BD11 ,  5F140BD12 ,  5F140BF05 ,  5F140BF07 ,  5F140BF11 ,  5F140BF15 ,  5F140BF21 ,  5F140BF25 ,  5F140BF27 ,  5F140BF43 ,  5F140BG30 ,  5F140BH21 ,  5F140BH27 ,  5F140BH30 ,  5F140BH49 ,  5F140BJ07 ,  5F140BJ11 ,  5F140BJ13 ,  5F140BJ14 ,  5F140BJ15 ,  5F140BJ16 ,  5F140BJ17 ,  5F140BK29 ,  5F140BK33 ,  5F140CE02

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 高電子移動度トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-323750   出願人：古河電気工業株式会社
• 国際公開第03/01903号パンフレット
  

審査官引用 (1件)

• 窒化物半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-216835   出願人：株式会社東芝