特許

J-GLOBAL ID：200903061722518416

高電子移動度トランジスタ

発明者： 吉田 清輝
出願人/特許権者： 古河電気工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-323750
公開番号（公開出願番号）：特開2003-179082
出願日： 1996年12月24日
公開日（公表日）： 2003年06月27日
要約：

【要約】【課題】電子走行層の電子移動度が高いGaN系の高電子移動度トランジスタを提供する。【解決手段】電子走行層がGaN系化合物半導体層からなり、電子供給層が電子走行層よりバンドギャップエネルギーの大きいGaN系化合物半導体層からなる高電子移動度トランジスタであって、前記電子走行層はInを1×1019cm-3以上、5×1020cm-3以下含む。または、前記電子走行層はAsまたはPを1×1019cm-3以上、5×1020cm-3以下含む。

請求項（抜粋）：

電子走行層がGaN系化合物半導体層からなり、電子供給層が前記電子走行層よりバンドギャップエネルギーの大きいGaN系化合物半導体層からなる高電子移動度トランジスタであって、前記電子走行層はInを1×1019cm-3以上、5×1020cm-3以下含むことを特徴する高電子移動度トランジスタ。

IPC (3件)：

H01L 21/338 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/812

Fターム (12件)：

5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ03 ,  5F102GK04 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GM08 ,  5F102GQ01 ,  5F102GT01 ,  5F102HC01 ,  5F102HC11

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 化合物半導体の成長方法、化合物半導体発光素子及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-045809   出願人：シャープ株式会社

引用文献：

審査官引用 (2件)

• Applied Physics Letters, 19930830, Vol.63,No.9, p.1214-1215
• Applied Physics Letters, 19960902, Vol.69,No.10, p.1438-1440