特許
J-GLOBAL ID：200903051943549930
半導体レーザの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
早瀬 憲一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-147952
公開番号（公開出願番号）：特開平10-335756
出願日： 1997年06月05日
公開日（公表日）： 1998年12月18日
要約：
【要約】【課題】ドライエッチングによりメサ構造部を形成するものであって、しかも低いしきい値電流特性を有し且つ温度特性の良い半導体レーザを製造する方法を提供する。【解決手段】ドライエッチングにより生じたダメージ層を、ドライエッチング後に塩素を含むガスで追加エッチングして除去する工程を設けた。
請求項（抜粋）：
メサ構造部を有する半導体レーザの製造方法において、半導体基板上に、バッファ層,活性層およびクラッド層を順次積層してダブルヘテロ成長層を形成する第1の工程と、第1の工程により形成されたダブルヘテロ成長層にドライエッチング処理を施してメサ構造部を形成する第2の工程と、第2の工程後、形成されたメサ構造部を、塩素を含むガス雰囲気中で保持または昇温する第3の工程とを含むことを特徴とする半導体レーザの製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01S 3/18
, H01L 21/302 N
