3-5族化合物半導体用電極の製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：久保山隆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-150311
公開番号（公開出願番号）：特開平9-008356
出願日： 1995年06月16日
公開日（公表日）： 1997年01月10日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】ドライエッチングを行なった際のエッチングダメージを回復させ、電流注入特性が優れた3-5族化合物半導体用電極を製造する。【構成】3-5族化合物半導体をドライエッチングし、次に不活性雰囲気中で400°C以上で熱処理し、次に電極を形成する工程を有する3-5族化合物半導体用電極の製造方法。3-5族化合物半導体をドライエッチングし、次にリン酸と硫酸とを含む溶液にて処理し、次に電極を形成する工程を有する3-5族化合物半導体用電極の製造方法。ドライエッチングが、稀ガス、ハロゲン元素を含む分子又はこれらの混合ガスを用いる。

請求項（抜粋）：

一般式Inx Gay Alz N(ただし、x+y+z=1、0≦x≦1、0≦y≦1、0≦z≦1)で表される3-5族化合物半導体に用いる電極の製造方法において、該3-5族化合物半導体をドライエッチングし、次に不活性雰囲気中で400°C以上で熱処理し、次に電極を形成する工程を有することを特徴とする3-5族化合物半導体用電極の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 33/00 , H01L 21/28 301 , H01L 21/3065 , H01L 21/304 341 , H01S 3/18

FI (6件)：

H01L 33/00 E , H01L 21/28 301 H , H01L 21/304 341 D , H01S 3/18 , H01L 21/302 F , H01L 21/302 N

引用特許：

審査官引用 (7件)

半導体発光装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-004719 出願人：旭化成工業株式会社
半導体発光素子の製法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-057688 出願人：ローム株式会社
特開平1-278025

全件表示

前のページに戻る