特許

J-GLOBAL ID：200903051943920086

半導体素子およびその活性化処理方法

発明者： 平野 光 ,  天野 浩 ,  赤崎 勇 ,  上山 智
出願人/特許権者： 大阪瓦斯株式会社
代理人 (1件)： 北村 修一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-249183
公開番号（公開出願番号）：特開2003-060222
出願日： 2001年08月20日
公開日（公表日）： 2003年02月28日
要約：

【要約】【課題】 p型半導体層が最上層に無い場合であっても、上記p型半導体層中の不純物の活性化が行われた半導体素子を提供する。【解決手段】 半導体積層構造の中間層にp型窒化物半導体層を備えてなる半導体素子であって、少なくとも上記p型窒化物半導体層に対して、所定の温度で加熱する熱処理工程と、紫外線を照射する紫外線照射工程と、上記p型窒化物半導体層を挟んで電界を印加する電界印加工程とが施されてなる。

請求項（抜粋）：

半導体積層構造の中間層にp型窒化物半導体層を備えてなる半導体素子であって、少なくとも前記p型窒化物半導体層に対して、所定の温度で加熱する熱処理工程と、紫外線を照射する紫外線照射工程と、前記p型窒化物半導体層を挟んで電界を印加する電界印加工程とが施されてなる半導体素子。

IPC (5件)：

H01L 31/10 ,  H01L 21/26 ,  H01L 21/324 ,  H01L 21/326 ,  H01L 31/0264

FI (5件)：

H01L 21/324 C ,  H01L 21/326 ,  H01L 31/10 A ,  H01L 31/08 L ,  H01L 21/26 E

Fターム (14件)：

5F049MA13 ,  5F049MB07 ,  5F049PA11 ,  5F049PA12 ,  5F049PA14 ,  5F049PA18 ,  5F049WA05 ,  5F088AA07 ,  5F088AB07 ,  5F088BB10 ,  5F088CB11 ,  5F088CB12 ,  5F088CB18 ,  5F088LA05

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 高抵抗化処理方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-320958   出願人：大阪瓦斯株式会社