特許
J-GLOBAL ID：200903051948682353
多結晶薄膜の形成方法および薄膜トランジスタの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
森本 義弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-003631
公開番号（公開出願番号）：特開平8-195492
出願日： 1995年01月13日
公開日（公表日）： 1996年07月30日
要約：
【要約】【目的】 各種デバイスに応用される多結晶薄膜の製造方法ならびに液晶表示素子、センサーアレイ、RAMなどに用いる薄膜トランジスタの製造方法において、均一性の良い製造方法を提供する。【構成】 レーザーアニールにより非晶質薄膜を多結晶化して多結晶薄膜を形成するに際し、前駆体である非晶質シリコン薄膜が微結晶シリコン薄膜2を含んだ非晶質シリコン薄膜3に形成し、レーザーアニールして多結晶シリコン薄膜5を製造する。
請求項（抜粋）：
絶縁性基板上に非晶質を主成分とする前駆体薄膜を形成する工程と前記前駆体薄膜をレーザーアニールにより多結晶を形成する工程を含む多結晶薄膜の形成方法において、前記前駆体薄膜は多結晶化の結晶核となる微結晶を含むことを特徴とする多結晶薄膜の形成方法。
IPC (6件)：
H01L 29/786
, H01L 21/336
, H01L 21/20
, H01L 21/205
, H01L 21/268
, H01L 27/12
