特許
J-GLOBAL ID：200903051956849267
単結晶の製造方法及び単結晶の製造装置
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
藤巻 正憲
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-193493
公開番号（公開出願番号）：特開2007-008779
出願日： 2005年07月01日
公開日（公表日）： 2007年01月18日
要約：
【課題】 原料の融液表面に窒化膜が形成されず、原料の気化速度を安定化することができる単結晶の製造方法及び単結晶の製造装置を提供する。 【解決手段】 3族金属材料3を気化させる気化部21、気化部21において発生した3族金属ガスと窒素ガスとを混合する混合部22、及びこれらの混合ガスから3属金属元素を含む窒化物を析出させる析出部23がこの順に設けられた単結晶製造装置10を使用する。その際、3族金属材料3の表面にキャリアガスを導入して発生した3族金属ガスをこのキャリアガスにキャリアさせ、このキャリアガスにキャリアされた3族金属ガスをシールドガスで囲まれた状態で混合部に導入する。更に、混合部22の温度を析出部23よりも高温にする。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
周期律表の3族金属材料を気化させて3族金属ガスを生成する工程と、窒素ガスを前記3族金属ガスとの混合部に送給する工程と、前記3族金属ガスをその周囲がシールドガスで囲まれた状態でノズルから前記混合部に導入する工程と、前記3族金属ガスと前記窒素ガスとの反応により生じた窒化金属を析出させる工程と、を有することを特徴とする単結晶の製造方法。
IPC (4件)：
C30B 29/38
, C30B 25/14
, H01L 33/00
, H01S 5/323
C30B29/38 D
, C30B25/14
, H01L33/00 C
, H01S5/323 610
4G077AA02
, 4G077BE11
, 4G077BE13
, 4G077BE15
, 4G077DB02
, 4G077DB11
, 4G077DB21
, 4G077EA06
, 4G077ED06
, 4G077EG23
, 4G077EG24
, 4G077EG25
, 4G077HA12
, 4G077TA04
, 4G077TE10
, 4G077TG06
, 4G077TH06
, 4G077TK01
, 5F041AA31
, 5F041CA40
, 5F041CA64
, 5F173AH22
, 5F173AP04
, 5F173AR99
出願人引用 (2件)
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窒化アルミニウム成長のためのエピタキシャル成長法および成長チャンバ
公報種別：公表公報
出願番号：特願2001-515359
出願人：ボダコフ,ユーリアレクサンドラビッチ, カルポフ,セルゲイユーリエビッチ, マカロフ,ユーリーニコラエビッチ, モホフ,エフゲニーニコラエビッチ, ラム,マルクグリゴーリエビッチ, ロエンコフ,アレクサンドルドミトリエビッチ, セガール,アレクサンドルソロモノビッチ
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GaN結晶またはAlGaN結晶の製造法
公報種別：公表公報
出願番号：特願2007-536198
出願人：アズッロセミコンダクターズアクチエンゲゼルシャフト
審査官引用 (1件)
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