GaN結晶またはAlGaN結晶の製造法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (6件)：矢野敏雄 , 山崎利臣 , 久野琢也 , 杉本博司 , アインゼル・フェリックス=ラインハルト , ラインハルト・アインゼル
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-536198
公開番号（公開出願番号）：特表2008-516877
出願日： 2005年10月17日
公開日（公表日）： 2008年05月22日
要約：

本発明は、窒化ガリウム単結晶または窒化ガリウムアルミニウム単結晶の製造法および製造装置に関する。本発明による方法処理において本質的なことは、ガリウムのまたはガリウムおよびアルミニウムの蒸発を成長する結晶の温度を上回る温度で、しかし少なくとも1000°Cで実施し、かつ金属融液表面上で窒素前駆体と金属融液との接触を防止するように、窒素ガス、水素ガス、不活性ガスまたはこれらのガスの組み合わせからなるガスフローを金属融液表面に導通することである。

請求項（抜粋）：

以下の工程: -純粋なガリウムからなるかまたはアルミニウムおよびガリウムの混合物からなる金属融液を融液るつぼ中に準備する工程; -前記金属融液からガリウムをまたはガリウムおよびアルミニウムを蒸発させる工程; -熱作用によるかまたはプラズマを用いて窒素前駆体を分解する工程; -10bar未満の圧力下で、種結晶においてGaN結晶またはAlGaN結晶の単結晶の結晶成長を引き起こす工程; を有する、窒化ガリウム結晶または窒化アルミニウムガリウム結晶の製造法であって、その際、ガリウムのまたはガリウムおよびアルミニウムの蒸発を、成長する結晶の温度を上回る温度で、しかし少なくとも1000°Cで実施し、かつその際、窒素ガス、水素ガス、不活性ガスまたはこれのガスの組み合わせからなるガスフローを、該ガスフローが金属融液表面上で窒素前駆体と金属融液との接触を防止するように金属融液表面上に導通する、窒化ガリウム結晶または窒化アルミニウムガリウム結晶の製造法。

IPC (3件)：

C30B 29/38 , C30B 23/06 , H01S 5/323

FI (3件)：

C30B29/38 D , C30B23/06 , H01S5/323 610

Fターム (44件)：

4G077AA02 , 4G077BE11 , 4G077BE15 , 4G077DA02 , 4G077DA18 , 4G077EA01 , 4G077EA05 , 4G077EA06 , 4G077EA08 , 4G077EB10 , 4G077EG02 , 4G077EG12 , 4G077EG13 , 4G077EG14 , 4G077EG18 , 4G077EG21 , 4G077EG22 , 4G077EG25 , 4G077EH07 , 4G077HA02 , 4G077HA06 , 4G077HA12 , 4G077SA01 , 4G077SA04 , 4G077SA07 , 4G077SA08 , 4G077SA11 , 4G077SA12 , 5F173AH22 , 5F173AH42 , 5F173AH49 , 5F173AJ04 , 5F173AJ13 , 5F173AJ15 , 5F173AJ23 , 5F173AP04 , 5F173AQ06 , 5F173AQ11 , 5F173AQ12 , 5F173AQ13 , 5F173AQ14 , 5F173AQ16 , 5F173AR82 , 5F173AR99

引用特許：

審査官引用 (6件)

GaN単結晶の合成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-012645 出願人：住友電気工業株式会社, 西野茂弘
窒化ガリウム系化合物半導体基板、及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-203956 出願人：日亜化学工業株式会社
窒素を含むIII-V族化合物半導体膜の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-046032 出願人：ヤマハ株式会社

全件表示

引用文献：

審査官引用 (2件)

前のページに戻る