特許
J-GLOBAL ID：200903051965074707
マスクパターン形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
永井 冬紀
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-099005
公開番号（公開出願番号）：特開平10-289861
出願日： 1997年04月16日
公開日（公表日）： 1998年10月27日
要約：
【要約】【課題】 パターン補正計算時間が短く、描画のスループット低下を抑えて光近接効果による影響を精度良く抑制することができるマスクのマスクパターン形成方法の提供。【解決手段】 電子ビーム描画により光リソグラフィ用のマスクを形成する際のマスクパターン形成方法において、電子ビームによる露光工程が、パターン領域10全域に一定露光量で露光する第1の露光工程と、エッジ10a〜10dを含む所定領域100a〜100dに所定露光量で露光する第2の露光工程とから成る。このようにマスクパターンが形成されたマスクを用いることにより、光リソグラフィにおける光近接効果の補正が精度良く行えるとともに、パターン描画のスループットの低下を抑えられる。
請求項（抜粋）：
荷電ビーム描画により光リソグラフィ用のマスクを形成する際のマスクパターン形成方法において、光リソグラフィでパターンを感応基板上に露光する際に生じる光近接効果によるパターンの大きさ,形状の誤差分を相殺するように、パターン領域のパターンエッジを含む所定領域の露光量をパターン領域の他の部分の露光量より大きくすることを特徴とするマスクパターン形成方法。
IPC (2件)：
FI (4件)：
H01L 21/30 502 P
, G03F 1/08 B
, H01L 21/30 502 C
, H01L 21/30 541 E
