特許
J-GLOBAL ID：200903051966875975

窒化物半導体の製造方法及び発光素子

発明者：
津田 有三

津田 有三 について

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花岡 大介

花岡 大介 について

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矢野 盛規

矢野 盛規 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (1件)： 小池 隆彌
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-184602
公開番号（公開出願番号）：特開2000-174343
出願日： 1999年06月30日
公開日（公表日）： 2000年06月23日
要約：
【要約】【課題】 異種基板を用いて単結晶を合成させる際、基板との格子定数差からくる歪み及び熱歪みの低減と基板と該結晶との界面から発生する貫通転位等の欠陥を減少させ、結晶性のよい結晶を得る必要がある。【解決手段】 成長抑制効果のある物質からなるマスクパターンと窒化物半導体膜を交互に積層せさ、かつ各々のマスクパターンのストライプ方向は異ならせることで基板との格子定数差による歪み及び熱歪みが低減され、かつ基板と窒化物半導体膜との界面から発生する貫通転位等の欠陥の少ない結晶が得られる。特に、高効率の窒化ガリウム系発光素子作製に有効な手段である。
請求項（抜粋）：
基板上方に、成長抑制効果を有する物質からなる第n(ただし、nは1以上の正数)のマスクパターンと第nのマスクパターンを覆うように窒化物半導体膜とを形成する第n工程と、前記第n工程によって形成された前記窒化物半導体膜上に成長抑制効果を有する物質からなる第n+1のマスクパターンと第n+1のマスクパターンを覆うように窒化物半導体膜とを形成する第n+1工程とを有することを特徴とする窒化物半導体の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 33/00 ,  H01L 21/205
FI (2件)：
H01L 33/00 C ,  H01L 21/205
引用特許：
審査官引用 (4件)
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