特許
J-GLOBAL ID：200903005978122580
結晶製造方法および発光素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小池 隆彌
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-098841
公開番号（公開出願番号）：特開平11-297630
出願日： 1998年04月10日
公開日（公表日）： 1999年10月29日
要約：
【要約】【課題】 異種基板を用いて単結晶を製造する際、基板からの貫通転位等の欠陥を減少させ、結晶性のよい結晶を得る必要がある。【解決手段】 結晶成長抑制物質を用いた、成長抑制効果のある物質からなるパターン化したマスクを異なる面に2種設置する技術により基板からの貫通転位を抑えることができ、欠陥密度の小さい結晶が得られる。特に、高効率の窒化ガリウム系の発光素子作製に有効な手段である。
請求項（抜粋）：
成長抑制効果のある物質からなる第1のパターン化マスクを形成した基板を用いた結晶の製造方法において、第1のパターン化マスクとは異なる面上に成長抑制効果のある物質からなる第2のパターン化マスクを用いて、前記結晶に連続して結晶を成長することを特徴とする結晶製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (5件)
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