特許
J-GLOBAL ID：200903016993457964
窒化ガリウム系化合物半導体及びその製造方法
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
藤谷 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-311518
公開番号（公開出願番号）：特開平11-135832
出願日： 1997年10月26日
公開日（公表日）： 1999年05月21日
要約：
【要約】【課題】素子特性及び製造効率を向上させること。【解決手段】シリコン基板1の上にはAl0.15Ga0.85N から成る層5が形成され、この層5上に、GaN から成る層6が形成されている。層5と層6とで第3の層が構成される。層6上には、SiO2から成る膜厚約2000Åの第1の層2がストライプ状又は格子状に形成されている。第1の層2の上部領域A及び層6の露出部B上にGaN から成る第2の層3を成長させる。このとき、GaN は、層6の露出部BのGaN を核として、面に垂直方向に成長する。そして、第1の層2の上部領域Aでは、層6の露出部B上に成長したGaN を核として、GaN が横方向にエピタキシャル成長する。このように、GaN がGaN を核として縦方向にも横方向にもエピタキシャル成長するので、第1の層2の上部領域Aである横方向成長領域では無転位の窒化ガリウム系化合物半導体を得ることができる。
請求項（抜粋）：
シリコン(Si)基板と、前記シリコン基板上に、シリコンの露出部が散在するように、点状、ストライプ状又は格子状等の島状態に形成され、窒化ガリウム系化合物半導体がその上にエピタキシャル成長しない第1の層と、前記第1の層で覆われていないシリコンの露出部を核として、エピタキシャル成長させ、前記第1の層の上部では、横方向にエピタキシャル成長させることで形成された窒化ガリウム(GaN) 系化合物半導体から成る第2の層とを備えたことを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体。
IPC (3件)：
H01L 33/00
, H01L 21/205
, H01S 3/18
H01L 33/00 C
, H01L 21/205
, H01S 3/18
