特許
J-GLOBAL ID:200903051975646105

リ-ドフレ-ム材のアウタ-リ-ド部、それを用いた半導体装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 長門 侃二
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-346757
公開番号(公開出願番号):特開2000-138334
出願日: 1997年11月11日
公開日(公表日): 2000年05月16日
要約:
【要約】【課題】 環境に悪影響を及ぼさず、半田付け性や溶接時の溶接強度が優れており、またリフロー処理時の偏肉も小さいリードフレーム材のアウターリード部を提供する。【解決手段】 このアウターリード部は、導電性基体の表面に、Sn単体から成る厚みt1の第1めっき層と、Ag,Bi,Cu,In,Znの群から選ばれる少なくとも1種を含有するSn合金から成る厚みt2の第2めっき層とがこの順序で積層されていて、かつ、t1,t2は、6μm≦t1≦10μm,1μm≦t2≦3μm,0.1≦t2/t1≦0.5の関係を満足する値である。
請求項(抜粋):
導電性基体の表面に、Sn単体から成る厚みt1の第1めっき層と、Ag,Bi,Cu,In,Znの群から選ばれる少なくとも1種を含有するSn合金から成る厚みt2の第2めっき層とがこの順序で積層されていて、かつ、t1,t2は、6μm≦t1≦10μm,1μm≦t2≦3μm,0.1≦t2/t1≦0.5の関係を満足する値であることを特徴とするリードフレーム材のアウターリード部。
IPC (4件):
H01L 23/48 ,  B23K 35/26 310 ,  H01B 5/02 ,  H01L 23/50
FI (4件):
H01L 23/48 V ,  B23K 35/26 310 A ,  H01B 5/02 A ,  H01L 23/50 D
引用特許:
審査官引用 (4件)
  • 半導体装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平3-161245   出願人:九州日本電気株式会社
  • 特開平1-259193
  • Sn合金めっき材の製造方法
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平6-328684   出願人:古河電気工業株式会社
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