特許
J-GLOBAL ID：200903051985159334
エッチング装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
八木田 茂 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-207222
公開番号（公開出願番号）：特開平9-055368
出願日： 1995年08月14日
公開日（公表日）： 1997年02月25日
要約：
【要約】【課題】真空チャンバ内でプラズマを用いたエッチング現象を利用して基板をエッチングするエッチング装置において、エッチャントの消費を抑え大口径基板上で高均一かつ高速エッチングをが可能にすること。【解決手段】円筒形の石英で構成される真空チャンバ壁の内側に、プラズマ中で発生した高密度の反応性物質であるイオン及びラジカルの反応を防ぐアルミナ円筒体が設けられる。
請求項（抜粋）：
石英円筒体で構成される壁を備えた真空チャンバ内に連続して存在する磁場ゼロの位置である環状磁気中性線を形成するための同軸上に配列した三つの磁場発生コイルから成り、隣接コイルに互いに逆向きの電流を流すことにより環状磁気中性線の半径を調整すると同時に磁場ゼロの位置での磁場の勾配を調整するようにした磁場発生手段と、この磁場発生手段によって真空チャンバ内に形成された磁気中性線に沿って交番電場を加えてこの磁気中性線に放電プラズマを発生するための1重を含む多重の高周波コイルから成り、磁気中性線の近くに位置した磁場発生コイルの内側に配置されている電場発生手段とを有し、形成される磁気中性線の作る面と平行して離れた位置に直流あるいは高周波バイアスを印加するようにした基板電極を設けたエッチング装置において、円筒形の石英で構成される真空チャンバ壁の内側に、プラズマ中で発生した高密度の反応性物質であるイオン及びラジカルの反応を防ぐアルミナ円筒体を設けたことを特徴とするエッチング装置。
IPC (4件)：
H01L 21/3065
, C23F 4/00
, H01L 21/31
, H05H 1/46
H01L 21/302 B
, C23F 4/00 G
, H01L 21/31 C
, H05H 1/46 A
