特許
J-GLOBAL ID：200903051998938669
電界放射型電子源の製造方法および電界放射型電子源および平面発光装置およびディスプレイ装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
西川 惠清 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-239065
公開番号（公開出願番号）：特開2000-138026
出願日： 1999年08月26日
公開日（公表日）： 2000年05月16日
要約：
【要約】【課題】低コストで電子放出面積のパターン精度を高めることができる電界放射型電子源の製造方法を提供する。【解決手段】ポリシリコン層3上に酸化シリコン層4を形成し(図1(b))、酸化シリコン層4をパターニングする(図1(c))。酸化シリコン層4をマスク材料層として55wt%のフッ化水素水溶液とエタノールとを1:1で混合し0°Cに冷却した電解溶液を用い、露出したポリシリコン層3に光照射を行いながら定電流で陽極酸化処理を行い多孔質ポリシリコン層5を形成する(図1(d))。急速熱酸化法によって、多孔質ポリシリコン層5を酸化して熱酸化された多孔質ポリシリコン層6を形成する(図1(e))。酸化シリコン層4の表面および内側面と熱酸化された多孔質ポリシリコン層6の表面とに導電性薄膜たる金属薄膜7をメタルマスクを用いて蒸着法によって形成する(図1(f))。
請求項（抜粋）：
導電性基板の主表面側の最表面に形成された導電性薄膜を陰極として電界を印加することにより導電性薄膜の表面から電子線を放射させる電界放射型電子源の製造方法であって、導電性基板上に多結晶半導体層を形成し、該多結晶半導体層上に所定領域が開口されたマスク材料層を形成し、該マスク材料層をマスクとして陽極酸化処理を行うことにより多結晶半導体層の一部を多孔質化し、該多孔質化された多孔質の多結晶半導体層を酸化若しくは窒化し、該酸化若しくは該窒化された多孔質多結晶半導体層上に所定形状にパターニングされた導電性薄膜を形成することを特徴とする電界放射型電子源の製造方法。
IPC (4件)：
H01J 9/02
, H01J 1/304
, H01J 29/04
, H01J 31/12
H01J 9/02 B
, H01J 29/04
, H01J 31/12 C
, H01J 1/30 F
