特許

J-GLOBAL ID：200903057501598868

電界放射型電子源およびその製造方法

発明者： 幡井 崇 ,  菰田 卓哉 ,  相澤 浩一 ,  本多 由明 ,  越田 信義
出願人/特許権者： 松下電工株式会社
代理人 (1件)： 西川 惠清 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-239066
公開番号（公開出願番号）：特開2000-164115
出願日： 1999年08月26日
公開日（公表日）： 2000年06月16日
要約：

【要約】【課題】所望の領域から電子を放出させることができる電界放射型電子源およびその製造方法を提供する。【解決手段】電界放射型電子源10は、主表面側にストライプ状に形成された導電体層たるn形領域8を有する導電性基板たるp形シリコン基板1と、p形シリコン基板1のn形領域8上の部位に形成された酸化した多孔質多結晶シリコンよりなる電界ドリフト層6と、隣り合う強電界ドリフト層6間に形成された多結晶シリコン層3と、強電界ドリフト層6上および多結晶シリコン層3上に跨ってストライプ状に形成されn形領域8に直交する導電性薄膜よりなる表面電極7とを備えている。電圧を印加するn形領域8と表面電極7とを適宜選択することにより、表面電極7の所望の領域から電子を放出させることができる。

請求項（抜粋）：

導電性基板と、導電性基板の一表面側に形成された酸化若しくは窒化した多孔質多結晶半導体層よりなる強電界ドリフト層と、強電界ドリフト層上に形成された導電性薄膜とを備え、導電性薄膜を導電性基板に対して正極として電圧を印加することにより、導電性基板から注入された電子が強電界ドリフト層をドリフトし導電性薄膜を通して放出される電界放射型電子源であって、導電性基板は前記一表面側にストライプ状に形成された導電体層を有し、強電界ドリフト層は導電体層に重複するストライプ状に形成され、導電性薄膜は強電界ドリフト層に交差する方向にストライプ状に形成されてなることを特徴とする電界放射型電子源。

IPC (4件)：

H01J 1/312 ,  H01J 9/02 ,  H01J 29/04 ,  H01J 31/12

FI (4件)：

H01J 1/30 M ,  H01J 9/02 M ,  H01J 29/04 ,  H01J 31/12 C

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 冷電子放出表示装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-069602   出願人：パイオニア株式会社, 越田信義
• 多孔質半導体発光素子及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-072882   出願人：シャープ株式会社
• 電子パルス放出装置および表示装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-246004   出願人：松下電子工業株式会社
• 電荷発生器及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-268984   出願人：オリンパス光学工業株式会社