特許

J-GLOBAL ID：200903052041770843

光電変換装置及び撮像装置

発明者： 沖田 彰 ,  鈴木 敏
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 西山 恵三 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-152386
公開番号（公開出願番号）：特開2002-353430
出願日： 2001年05月22日
公開日（公表日）： 2002年12月06日
要約：

【要約】【課題】 素子分離用絶縁膜にLOCOS酸化膜を用いた場合に生じるリーク電流の発生の抑制と、フォトダイオードの開口率の向上をはかる。【解決手段】 第1導電型の半導体からなる領域を有する隣接する一対のフォトダイオードの間に設けられた第2導電型の半導体からなるチャネルストップ層と、前記チャネルストップ層の上に設けられた素子分離用絶縁膜と、前記フォトダイオードの表面に設けられ前記素子分離用絶縁膜より薄い絶縁膜と、を有する光電変換装置において、前記フォトダイオードと前記絶縁膜との界面と、前記チャネルストップ層と前記素子分離用絶縁膜との界面が、同一レベルの平面上にあり、前記第1導電型の半導体領域と前記チャネルストップ層とが互いに接している。

請求項（抜粋）：

第1導電型の半導体からなる領域を有する隣接する一対のフォトダイオードの間に設けられた第2導電型の半導体からなるチャネルストップ層と、前記チャネルストップ層の上に設けられた素子分離用絶縁膜と、前記フォトダイオードの表面に設けられ前記素子分離用絶縁膜より薄い絶縁膜と、を有する光電変換装置において、前記フォトダイオードと前記絶縁膜との界面と、前記チャネルストップ層と前記素子分離用絶縁膜との界面が、同一レベルの平面上にあり、前記第1導電型の半導体領域と前記チャネルストップ層とが互いに接していることを特徴とする光電変換装置。

IPC (3件)：

H01L 27/146 ,  H01L 31/10 ,  H04N 5/335

FI (3件)：

H04N 5/335 U ,  H01L 27/14 A ,  H01L 31/10 A

Fターム (30件)：

4M118AA01 ,  4M118AA02 ,  4M118AA05 ,  4M118AB01 ,  4M118BA06 ,  4M118BA14 ,  4M118CA03 ,  4M118CA04 ,  4M118CA05 ,  4M118EA16 ,  4M118FA06 ,  4M118FA26 ,  5C024AX01 ,  5C024BX01 ,  5C024CX32 ,  5C024CX41 ,  5C024CY47 ,  5C024GX03 ,  5C024GY31 ,  5C024HX01 ,  5C024HX23 ,  5F049MA02 ,  5F049MB02 ,  5F049NA05 ,  5F049NB05 ,  5F049PA10 ,  5F049PA14 ,  5F049QA04 ,  5F049QA14 ,  5F049SS03

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 固体撮像装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-087380   出願人：株式会社東芝
• 個体撮像装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-180087   出願人：日本電気株式会社
• 特開昭57-150284