特許

J-GLOBAL ID：200903052049076466

統合処理システムにおけるプラズマドーピング及びイオン注入のための方法及び装置

発明者： ワルター、スティーブン・アール
出願人/特許権者： バリアン・セミコンダクター・エクイップメント・アソシエイツ・インコーポレイテッド
代理人 (2件)： 竹内 澄夫 ,  堀 明▲ひこ▼
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-541037
公開番号（公開出願番号）：特表2005-508088
出願日： 2002年10月17日
公開日（公表日）： 2005年03月24日
要約：

【解決手段】プラズマドーピング及びイオン注入のための方法及び装置が統合処理システムで与えられる。該装置は、処理チャンバ、イオンビームを生成しかつ該イオンビームを処理チャンバ内へ方向付けるためのビームラインイオン注入モジュール、処理チャンバからアクセス可能なプラズマドーピングチャンバを含むプラズマドーピングモジュール、及びウエハポジショナーを含む。該ポジショナーはビームライン注入モードにおいてイオンビームの経路内に半導体ウエハを配置し、プラズマドーピングモードにおいてプラズマドーピングチャンバ内に半導体ウエハを配置する。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

半導体ウエハを処理するための装置であって、 処理チャンバと、 イオンビームを生成しかつ該イオンビームを前記処理チャンバ内へ方向づけるためのビームラインイオン注入モジュールと、 前記処理チャンバからアクセス可能なプラズマドーピングチャンバを含むプラズマドーピングモジュールと、 ビームライン注入モードにおいて半導体ウエハを前記イオンビームの経路内に配置し、プラズマドーピングモードにおいて該半導体ウエハを前記プラズマドーピングチャンバ内に配置するためのウエハポジショナーと、 から成る装置。

IPC (2件)：

H01L21/265 ,  H01J37/317

FI (3件)：

H01L21/265 F ,  H01L21/265 603Z ,  H01J37/317 B

Fターム (3件)：

5C034CC07 ,  5C034CC10 ,  5C034CC11

引用特許：

審査官引用 (3件)

• プラズマ侵入型イオン注入を使用するクラスタツール方法及び装置
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2000-504917   出願人：シリコンジェネシスコーポレイション
• 薄膜半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-148408   出願人：ソニー株式会社
• 特開平2-126634