特許
J-GLOBAL ID：200903052052066056
絶縁膜の形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
志賀 富士弥 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-010529
公開番号（公開出願番号）：特開平5-206118
出願日： 1992年01月24日
公開日（公表日）： 1993年08月13日
要約：
【要約】【目的】 シリコン窒化膜の剥れを防止し、下地界面近傍のシリコン窒化膜の膜質の低下も防止できる絶縁膜の形成方法を得んとするものである。【構成】 SiH4流量100〜200SCCM,NH3流量30〜90SCCM,N2流量1000〜2000SCCM,圧力3〜6torr,温度350〜400°C,RFパワー380W以上,電極間隔390〜700milsの条件下で基板上にシリコン窒化膜を成長させる枚葉式プラズマCVD装置においては、成膜直前に上記条件中SiH4流量を10〜60SCCM,NH3流量をOSCCMとし、他のパラメータは不変として1〜5秒のプリデポジションを行なうことにより、シリコン窒化膜の膜剥れを防止し、膜質を向上することができた。
請求項（抜粋）：
基体上に、シラン(SiH4)と窒素(N2)とをソースガスに用いて第1の絶縁膜を形成し、連続してシランと窒素とアンモニア(NH3)とをソースガスに用いて第2の絶縁膜を形成することを特徴とする絶縁膜の形成方法。
IPC (2件)：
引用特許：
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