特許
J-GLOBAL ID：200903052053198878

半導体素子及びその製造方法

発明者：
坂田 仁

坂田 仁 について

, 
門永 泰男

門永 泰男 について


出願人/特許権者：
三洋電機株式会社

三洋電機株式会社 について


代理人 (1件)： 鳥居 洋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-372418
公開番号（公開出願番号）：特開2001-189478
出願日： 1999年12月28日
公開日（公表日）： 2001年07月10日
要約：
【要約】【課題】 この発明は、プラズマによるダメージを解消し、非晶質半導体層と透明電極との界面特性を良好に保ち、高効率な半導体素子を提供することを課題とする。【解決手段】 n型単結基板1表面に電気抵抗を低下させる不純物を実質的に含まないi型非晶質半導体層2を形成する工程と、p型不純物を含むガスを励起した雰囲気に、前記非晶質半導体層2が形成されたn型単結晶基板1を曝して前記不純物を前記非晶質半導体層2に拡散させてプラズマドーピング層3を形成する工程と、前記プラズマドーピング層3上に、化学的気相成長法により前記p型不純物を含むp型非晶質半導体層薄膜4を形成する工程と、このp型非晶質半導体薄膜4上に透明電極5を形成する工程と、を有する。
請求項（抜粋）：
一導電型結晶系半導体基板と、この結晶系半導体基板上に形成された電気抵抗を低下させる不純物を実質的に含まない非晶質半導体層と、他導電型の不純物を含むガスを励起した雰囲気に前記非晶質半導体層を形成した前記結晶系半導体基板を曝すことにより形成された他導電型非晶質半導体層と、前記他導電型非晶質半導体層上に化学的気相成長法により形成された他導電型非晶質半導体層薄膜と、を有することを特徴とする半導体素子。
IPC (5件)：
H01L 31/04 ,  G02F 1/1368 ,  H01L 21/205 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336
FI (5件)：
H01L 21/205 ,  H01L 31/04 V ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 29/78 616 U ,  H01L 29/78 616 L
Fターム (58件)：
2H092HA04 ,  2H092JA24 ,  2H092KA03 ,  2H092KA05 ,  2H092KA10 ,  2H092MA07 ,  2H092MA08 ,  2H092MA27 ,  2H092MA37 ,  5F045AA08 ,  5F045AB04 ,  5F045AB06 ,  5F045AC01 ,  5F045AD05 ,  5F045AE19 ,  5F045AF03 ,  5F045AF12 ,  5F045BB08 ,  5F045BB16 ,  5F045CA13 ,  5F045CA15 ,  5F045DA52 ,  5F045DA66 ,  5F045EB13 ,  5F045HA02 ,  5F045HA20 ,  5F051AA05 ,  5F051AA16 ,  5F051CA02 ,  5F051CA03 ,  5F051CA05 ,  5F051CA15 ,  5F051DA03 ,  5F051DA04 ,  5F051FA04 ,  5F051FA06 ,  5F051GA04 ,  5F051GA15 ,  5F110AA30 ,  5F110BB01 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG07 ,  5F110GG13 ,  5F110GG15 ,  5F110GG20 ,  5F110GG22 ,  5F110GG25 ,  5F110GG36 ,  5F110GG45 ,  5F110GG55 ,  5F110HK08 ,  5F110HK09 ,  5F110HK16 ,  5F110HK21 ,  5F110HK25 ,  5F110HK35 ,  5F110HK39
引用特許：
審査官引用 (2件)

前のページに戻る

TOP

BOTTOM