マイクロチャンネルプレートを製造するためのシリコンエッチング方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：藤井紘一 (外1名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-548535
公開番号（公開出願番号）：特表2002-512737
出願日： 1998年05月08日
公開日（公表日）： 2002年04月23日
要約：

【要約】マイクロチャンネルプレートのような、細長い孔アスペクト比のチャンネル(30)を有する素子を、p-タイプシリコン素子(10)を電解液(26)において電気化学エッチングに供して素子を透通するチャンネルを形成することによりつくる。電解液は水性電解液とすることができる。マイクロチャンネルプレートとして使用する場合には、チャンネルのシリコン面を絶縁二酸化炭素(28)に変えることができ、高電子放出性のダイノード材料(32)をチャンネルの絶縁面に被着することができる。新規のダイノード材料も開示されている。

請求項（抜粋）：

シリコン素子の所定の位置に高アスペクト比のチャンネルを形成する方法であって、 (a)表面及び裏面を有するp-ドープシリコン素子を提供する工程と、 (b)素子の表面の所定の位置に複数のピットを形成する工程と、 (c)素子の表面及び対電極を電解液と接触状態に保持するとともに、素子を対電極に対して正の電位に保持することにより、素子を前記ピットにおいて優先的にエッチングに供して前記表面から前記裏面へ向けてシリコン素子を介して並行して延びるチャンネルを形成する工程とを備えることを特徴とする方法。

IPC (3件)：

H01L 21/3063 , H01J 9/12 , H01J 43/24

FI (3件)：

H01J 9/12 D , H01J 43/24 , H01L 21/306 L

引用特許：

審査官引用 (5件)

多孔部品の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-031198 出願人：シーメンスアクチエンゲゼルシヤフト
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-190389 出願人：日本電装株式会社
特開昭54-059071

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