特許
J-GLOBAL ID：200903052066947004

炭化水素供給原料のウルトラディープHDSを行うための方法

発明者：
フランス ロデウィク プランテンガ

フランス ロデウィク プランテンガ について

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フランシスカス ウィルヘルムス ファン ホウテルト

フランシスカス ウィルヘルムス ファン ホウテルト について

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ヨハネス ウィルヘルムス マリア ソンネマンス

ヨハネス ウィルヘルムス マリア ソンネマンス について


出願人/特許権者：
アクゾ ノーベル ナムローゼ フェンノートシャップ

アクゾ ノーベル ナムローゼ フェンノートシャップ について


代理人 (1件)： 松井 光夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-101441
公開番号（公開出願番号）：特開2000-313890
出願日： 2000年04月03日
公開日（公表日）： 2000年11月14日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】炭化水素供給原料の硫黄含量を、200ppm未満、好ましくは50ppm未満の値まで減少する方法を提供する。【解決手段】担体上に第VIB族金属成分、第VIII族金属成分および有機添加剤を含む触媒を硫化段階に供すること、95%が450°C以下の沸点を有しかつ500ppm以下の硫黄含量を有する供給原料を、高められた温度および圧力の条件下で、硫化された触媒と接触させて200 ppm未満の硫黄含量を有する生成物を生じることを含む方法。有機添加剤は好ましくは、少なくとも2個のヒドロキシル基および2〜10個の炭素原子を含む化合物ならびにこれらの化合物の(ポリ)エーテルから成る群より選ばれる少なくとも1種の化合物である。
請求項（抜粋）：
炭化水素供給原料の硫黄含量を200ppm未満の値に減らす方法であって、担体上に第VIB族金属成分、第VIII族金属成分および有機添加剤を含む触媒を硫化段階に供すること、ならびに、450°C以下の95%沸点を有しかつ500ppm以下の硫黄含量を有する供給原料を、高められた温度および圧力の条件下で、上記硫化した触媒と接触させて200ppm未満の硫黄含量を有する生成物を生ずることを含む方法。
IPC (4件)：
C10G 45/08 ,  B01J 27/19 ,  C10G 65/04 ,  C10L 1/08
FI (4件)：
C10G 45/08 B ,  B01J 27/19 M ,  C10G 65/04 ,  C10L 1/08
引用特許：
審査官引用 (4件)
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