特許
J-GLOBAL ID：200903052075377245

成膜装置

発明者：
福井 慎次

福井 慎次 について

, 
寺西 康治

寺西 康治 について


出願人/特許権者：
キヤノン株式会社

キヤノン株式会社 について


代理人 (1件)： 阪本 善朗
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-244978
公開番号（公開出願番号）：特開2008-063636
出願日： 2006年09月11日
公開日（公表日）： 2008年03月21日
要約：
【課題】反応性スパッタリングを用いて、多孔質で屈折率の低い光学薄膜を成膜する。【解決手段】成膜室20内に、ターゲット11の近傍の放電空間を囲う第1の仕切り部材13と、仕切り部材13に隣接する第2の仕切り部材14を設ける。各仕切り部材13、14には、スパッタ粒子が通過するための穴13a、14aが形成されている。第1の仕切り部材13による放電空間にはスパッタガスを、第2の仕切り部材14による反応空間には反応性ガスをそれぞれ供給する。放電空間を通常のスパッタリングよりも高圧にして成膜を行うことで、適度な成膜レートを保ちながら、充分な反応を得た良質で屈折率の低い多孔質膜を安定して成膜することができる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
反応性スパッタリングによって基板に薄膜を成膜する成膜装置において、スパッタ粒子を発生させるターゲットと、前記ターゲットの放電域における第1の空間部を囲う第1の仕切り部材と、前記第1の空間部にスパッタガスを供給するスパッタガス供給手段と、前記第1の仕切り部材に配設された第1の開口と、前記第1の開口を介して前記第1の空間部に隣接する第2の空間部を囲う第2の仕切り部材と、前記第2の空間部に反応性ガスを供給するための反応性ガス供給手段と、前記第2の仕切り部材に配設された第2の開口と、前記第2の開口に対向するように前記基板を保持する基板保持手段と、を有することを特徴とする成膜装置。
IPC (3件)：
C23C 14/34 ,  G02B 1/11 ,  G02B 1/10
FI (3件)：
C23C14/34 M ,  G02B1/10 A ,  G02B1/10 Z
Fターム (17件)：
2K009AA02 ,  2K009AA15 ,  2K009BB01 ,  2K009CC02 ,  2K009DD03 ,  2K009DD04 ,  2K009DD15 ,  2K009EE00 ,  4K029AA08 ,  4K029AA24 ,  4K029BA42 ,  4K029DA04 ,  4K029DC03 ,  4K029DC34 ,  4K029DC35 ,  4K029EA03 ,  4K029JA01
引用特許：
出願人引用 (5件)
全件表示
審査官引用 (2件)

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