特許

J-GLOBAL ID：200903052078191983

半導体受光素子

発明者： 志水 雄三 ,  大澤 勝市 ,  茶藤 哲夫 ,  嶋崎 豊幸
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 池内 寛幸 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-154444
公開番号（公開出願番号）：特開2002-353491
出願日： 2001年05月23日
公開日（公表日）： 2002年12月06日
要約：

【要約】【課題】 信号光を検出する受光素子に不要な迷光が入射することを防止し、信号光による出力信号に不要な迷光による信号が混ざることを低減させることのできる半導体受光素子を提供する。【解決手段】 半導体基板の主面に斜面を介して少なくとも一つの段差部が形成され、前記段差部底面の信号光の光軸上に、前記信号光の検出を目的とした第1の受光素子が形成されている半導体受光素子。

請求項（抜粋）：

半導体基板の主面に斜面を介して少なくとも一つの段差部が形成され、前記段差部底面の信号光の光軸上に、前記信号光の検出を目的とした第1の受光素子が形成されていることを特徴とする半導体受光素子。

IPC (4件)：

H01L 31/10 ,  G11B 7/13 ,  G11B 7/135 ,  H01L 31/02

FI (4件)：

G11B 7/13 ,  G11B 7/135 Z ,  H01L 31/10 A ,  H01L 31/02 B

Fターム (28件)：

5D119AA20 ,  5D119BA01 ,  5D119CA10 ,  5D119FA05 ,  5D119FA25 ,  5D119JA07 ,  5D119JA43 ,  5D119KA02 ,  5D119KA23 ,  5D119LB04 ,  5D119LB05 ,  5F049MA02 ,  5F049MB02 ,  5F049NA04 ,  5F049NB01 ,  5F049NB07 ,  5F049NB08 ,  5F049QA20 ,  5F049RA07 ,  5F049TA20 ,  5F088AA02 ,  5F088AB03 ,  5F088BA03 ,  5F088BA16 ,  5F088BB10 ,  5F088EA09 ,  5F088EA11 ,  5F088GA07

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-276083   出願人：富士通株式会社
• 赤外線検知装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-304591   出願人：富士通株式会社
• 垂直空胴表面発光型レーザーダイオードを使用した光ピックアップヘッド装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-330909   出願人：松下電器産業株式会社
• 光半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-006689   出願人：松下電子工業株式会社
• 特開昭63-055982