特許

J-GLOBAL ID：200903052092188456

低比誘電性高分子膜及びその形成方法並びに層間絶縁膜

発明者： 飯島 正行 ,  佐藤 昌敏 ,  浮島 禎之 ,  高橋 善和 ,  佐々木 重邦 ,  松浦 徹 ,  山本 二三男
出願人/特許権者： 日本真空技術株式会社 ,  日本電信電話株式会社 ,  エヌ・ティ・ティ・アドバンステクノロジ株式会社
代理人 (1件)： 石島 茂男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-100273
公開番号（公開出願番号）：特開平11-283974
出願日： 1998年03月27日
公開日（公表日）： 1999年10月15日
要約：

【要約】【課題】簡易な工程で安定した特性を有し、特に半導体装置の層間絶縁膜に適用しうる低比誘電性高分子膜及びその形成方法を提供する。【解決手段】蒸着重合によって基体上に形成されるポリイミド膜中に25重量%以上のフッ素を含有させる。蒸着重合の原料モノマーとしては、フッ素を含む置換基を有するモノマーを用いる。例えば、ジアミンモノマーとして、2,2′-ビス(トリフルオロメチル)-4,4′-ジアミノビフェニル(TFDB)や、5-(パーフルオロノネニルオキシ)-1,3-ジアミノベンゼン(17FMPD)等と、酸成分モノマーとして、2,2′-ビス(3,4-ジカルボキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン二無水物(6FDA)、1,4-ジフルオロ-2,3,5,6-ベンゼンテトラカルボン酸二無水物(P2FDA)等を用いる。

請求項（抜粋）：

蒸着重合によって基体上に形成される高分子膜中に所定量のフッ素を含有することを特徴とする低比誘電性高分子膜。

IPC (10件)：

H01L 21/312 ,  B32B 27/00 ,  C08G 73/10 ,  C08G 85/00 ,  C08J 5/18 ,  H01B 3/24 ,  H01B 3/30 ,  H01L 21/768 ,  B32B 7/02 104 ,  C23C 14/12

FI (10件)：

H01L 21/312 A ,  B32B 27/00 A ,  C08G 73/10 ,  C08G 85/00 ,  C08J 5/18 ,  H01B 3/24 A ,  H01B 3/30 G ,  B32B 7/02 104 ,  C23C 14/12 ,  H01L 21/90 S

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平4-328133
  
• ポリイミド光導波路の作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-352859   出願人：日本電信電話株式会社
• 特開平3-006363