特許
J-GLOBAL ID：200903052103725823

シリコンウェーハのCu濃度測定方法

発明者：
モハマッド.ビー.シャバニー

モハマッド.ビー.シャバニー について

, 
奥内 茂

奥内 茂 について


出願人/特許権者：
三菱マテリアルシリコン株式会社

三菱マテリアルシリコン株式会社 について


代理人 (1件)： 須田 正義
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-007513
公開番号（公開出願番号）：特開2001-196433
出願日： 2000年01月17日
公開日（公表日）： 2001年07月19日
要約：
【要約】【課題】 シリコンウェーハを全溶解することなくCuを簡便かつ定量的に評価する。工程汚染の把握を行う。【解決手段】 裏面にポリシリコン膜10a、サンドブラスティング、レーザ照射又はイオン注入により形成されたEG層を有するシリコンウェーハ10のウェーハ表面からウェーハを300〜600°Cの温度で1〜60分間加熱し、ウェーハ裏面のEG層を溶解回収して、回収したEG層を含む回収液のCu濃度を原子吸光分析法で定量分析する。表面にエピタキシャル層20aを有するシリコンウェーハ20のウェーハ表面からウェーハ20を300〜600°Cの温度で1〜60分間加熱し、ウェーハ裏面のCu濃度を原子吸光分析法又は全反射X線蛍光分析法で定量分析する。
請求項（抜粋）：
裏面にポリシリコン膜(10a)、サンドブラスティング、レーザ照射又はイオン注入により形成されたEG層を有するシリコンウェーハ(10)に含まれるCuの濃度を測定する方法において、前記ウェーハ表面から前記ウェーハ(10)を300〜600°Cの温度で1〜60分間加熱する工程と、前記ウェーハ裏面の前記EG層を溶解し回収する工程と、前記回収液のCu濃度を定量分析する工程とからなるシリコンウェーハのCu濃度測定方法。
IPC (5件)：
H01L 21/66 ,  G01N 1/28 ,  G01N 21/00 ,  G01N 21/31 610 ,  G01N 23/223
FI (5件)：
H01L 21/66 L ,  G01N 21/00 B ,  G01N 21/31 610 Z ,  G01N 23/223 ,  G01N 1/28 X
Fターム (28件)：
2G001AA01 ,  2G001BA04 ,  2G001CA01 ,  2G001GA01 ,  2G001KA01 ,  2G001LA11 ,  2G001MA05 ,  2G001NA13 ,  2G001NA17 ,  2G001RA02 ,  2G001RA03 ,  2G001RA20 ,  2G059AA01 ,  2G059BB04 ,  2G059BB16 ,  2G059CC03 ,  2G059DD01 ,  2G059DD03 ,  2G059EE01 ,  2G059EE11 ,  4M106AA01 ,  4M106AA10 ,  4M106BA12 ,  4M106CB01 ,  4M106DH11 ,  4M106DH25 ,  4M106DH55 ,  4M106DH56
引用特許：
審査官引用 (5件)
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