特許
J-GLOBAL ID：200903052121816488

半導体装置の実装方法

発明者：
八木 能彦

八木 能彦 について

, 
東 和司

東 和司 について

, 
鶴見 浩一

鶴見 浩一 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (1件)： 石原 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-025648
公開番号（公開出願番号）：特開平8-222572
出願日： 1995年02月14日
公開日（公表日）： 1996年08月30日
要約：
【要約】【目的】 半導体装置を、少ない工程数で、接続抵抗値のバラツキ無く回路基板へ実装できる半導体装置の実装方法の提供。【構成】 ワイヤボンディング法で半導体装置1の電極2上に突起電極8を形成する突起電極形成工程と、突起電極8を導電性接着剤膜11を塗布したレベリング転写ステージ10の平坦面上に所定の力で押し当て突起電極8の高さを均一化した後、半導体装置1を引き上げる際に、前記の高さが均一化した突起電極8の先端面が導電性接着剤膜11の中にある状態で所定時間停止させて突起電極8の先端面に導電性接着剤膜11を転写させるレベリング転写工程と、前記の導電性接着剤膜11を転写した突起電極8を実装すべき回路基板の電極上に位置決めする実装工程と、突起電極8に転写した導電性接着剤の硬化工程とを有する。
請求項（抜粋）：
半導体装置の電極上にワイヤボンディング法によって突起電極を形成する突起電極形成工程と、前記半導体装置を表裏反転して保持手段で保持し、前記突起電極を導電性接着剤膜を塗布したレベリング転写ステージの平坦面上に所定の力で押し当て先端部を変形させて前記突起電極の高さを均一化した後、前記保持手段により前記半導体装置を引き上げる際に、前記の高さが均一化した突起電極の先端面が前記導電性接着剤膜の中にある状態で所定時間停止させて前記突起電極の先端面に前記導電性接着剤を転写させるレベリング転写工程と、前記保持手段により前記突起電極を実装すべき回路基板の電極上に位置決めする実装工程と、前記回路基板をバッジ炉で加熱し前記導電性接着剤を硬化させる硬化工程とを有することを特徴とする半導体装置の実装方法。
IPC (2件)：
H01L 21/321 ,  H01L 21/60 311
FI (3件)：
H01L 21/92 604 J ,  H01L 21/60 311 Q ,  H01L 21/92 604 F
引用特許：
審査官引用 (4件)
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