特許

J-GLOBAL ID：200903052126207714

ヘテロ接合バイポーラトランジスタ

発明者： 高橋 直
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 青山 葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-358903
公開番号（公開出願番号）：特開2001-176882
出願日： 1999年12月17日
公開日（公表日）： 2001年06月29日
要約：

【要約】【課題】 単位面積当たりのコレクタ抵抗の低い高付加効率のHBTを提供する。【解決手段】 半絶縁性GaAs基板21上に、サブコレクタ超格子層22,n型AlGaAsエッチングストッパ層23,AlGaAs組成傾斜層24,n型GaAsコレクタ層25,p型GaAsベース層26,n型GaInPエミッタ層27,n型GaAsエミッタ層28,n型GaInAsエミッタコンタクト層29が順次形成され、さらにコレクタ電極32,べース電極33,エミッタ電極34が形成されている。サブコレクタ超格子層22を、n型GaInP層31とGaAs層30とを交互に積層して構成することによって、高濃度ドーピングされたn型GaInP層31の電子の一部は、より電子移動度の高いGaAs層30中を走行する。したがって、サブコレクタ層をGaInP層の単層で構成した場合よりも単位面積当りのコレクタ抵抗を低減できる。

請求項（抜粋）：

GaAs基板と、上記GaAs基板上に形成されると共に、n型GaInP層とGaAs層とを交互に積層して成るサブコレクタ超格子層を備えたことを特徴とするヘテロ接合バイポーラトランジスタ。

IPC (3件)：

H01L 21/331 ,  H01L 29/73 ,  H01L 29/205

FI (2件)：

H01L 29/205 ,  H01L 29/72

Fターム (18件)：

5F003AP00 ,  5F003BA92 ,  5F003BB04 ,  5F003BB08 ,  5F003BC02 ,  5F003BC05 ,  5F003BE02 ,  5F003BE04 ,  5F003BE90 ,  5F003BF06 ,  5F003BG06 ,  5F003BH08 ,  5F003BH99 ,  5F003BM03 ,  5F003BN09 ,  5F003BP11 ,  5F003BP32 ,  5F003BP96

引用特許：

審査官引用 (7件)

• 特開昭62-012164
  
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-293580   出願人：株式会社日立製作所
• ヘテロ接合バイポーラトランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-283870   出願人：古河電気工業株式会社
• 特開平2-125434
  
• 化合物半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-257093   出願人：三洋電機株式会社
• 特開昭62-012164
  
• 特開平2-125434
  

引用文献：

審査官引用 (1件)

• 半導体超格子入門, 19871110, pp.59-61