データ記憶素子製造方法およびデータ記憶素子、並びにデータ処理装置

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山田英治 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-015735
公開番号（公開出願番号）：特開2001-209580
出願日： 2000年01月25日
公開日（公表日）： 2001年08月03日
要約：

【要約】【課題】正確なデータ書き込みを可能とし、データ読み出しを困難にするデータ記憶素子製造方法およびデータ記憶素子を提供する。【解決手段】データ記憶素子の記憶部に対するデータの書き込み読み出し時に認証処理を実行する構成とし、不正な第三者によるデータの読み書きを防止可能とした。さらにデータ記憶素子に対するデータの書き込み後、書き込みデータに基づく暗号処理を実行して、暗号処理結果を照合することにより、書き込みデータの検証を行ない書き込みエラー発生を防止した。また、書き込み専用領域と読み取り書き込み併用領域を設けてセキュリテイの高い情報を書き込み専用領域に書き込むことを可能とした。

請求項（抜粋）：

不揮発性メモリからなる記憶部にデータを格納しデータ記憶素子を製造するデータ記憶素子製造方法において、データ記憶素子のモード信号線に信号を入力しデータ書き込みモードに設定するモード設定ステップと、データ書き込み装置と前記データ記憶素子間において、前記データ記憶素子に予め格納した認証処理用データを用いた認証処理を実行する認証処理ステップと、前記認証処理ステップにおいて認証が成立した場合にのみ、前記データ記憶部に対するデータの書き込み処理を実行するデータ書き込みステップと、前記モード信号線を非接続状態に固定するモード信号線固定ステップと、を有することを特徴とするデータ記憶素子製造方法。

IPC (5件)：

G06F 12/14 310 , G06K 17/00 , G06K 19/07 , G06K 19/10 , H04L 9/10

FI (6件)：

G06F 12/14 310 F , G06K 17/00 S , G06K 17/00 E , G06K 19/00 N , G06K 19/00 R , H04L 9/00 621 Z

Fターム (28件)：

5B017AA02 , 5B017BA07 , 5B017BB00 , 5B017CA14 , 5B035AA13 , 5B035BB09 , 5B035CA38 , 5B058CA27 , 5B058CA28 , 5B058KA02 , 5B058KA31 , 5B058KA32 , 5B058KA33 , 5B058KA35 , 5J104AA07 , 5J104AA12 , 5J104AA16 , 5J104EA16 , 5J104EA18 , 5J104EA22 , 5J104JA13 , 5J104JA14 , 5J104KA04 , 5J104NA02 , 5J104NA05 , 5J104NA35 , 5J104NA38 , 5J104PA14

引用特許：

審査官引用 (12件)

特開昭62-197995
特開平1-199252
特開平3-063783

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