特許

J-GLOBAL ID：200903052165835358

大きい深さ対幅アスペクト比をもつホールから、ポリマーを制御下にかつ急速に除去するための大気内プロセスおよびシステム

発明者： ボリンジヤー,リン,デイヴイツド ,  トクムーリン,イスカーンデア
出願人/特許権者： ジエテツク,インコーポレーテツド
代理人 (1件)： 東島 隆治
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-526324
公開番号（公開出願番号）：特表2003-510824
出願日： 2000年09月28日
公開日（公表日）： 2003年03月18日
要約：

【要約】【課題】【解決手段】 半導体デバイスの製造に使用される基板(10)上のポリマー(44)をエッチングするための高温アーク状プラズマ発生システムが、記述されている。エッチングプロセスは、約10対1よりも大きく更には50対1より大きい、溝を含みうる高アスペクト比のホール(40)からポリマーを除去するために特に有用である。

請求項（抜粋）：

10:1よりも大きい深さ対幅アスペクト比を持つ高アスペクト比のホールを備える基板からのポリマー除去方法であって、 高温ガスの流れを発生するステップ、および、 そのポリマーをそのホールから希望する深さまで除去するため、その流れを或る期間に亘りかつ十分な回数の通過を以ってその基板に向けるステップ、 を有する、ことを特徴とする方法。

IPC (2件)：

H01L 21/3065 ,  B23K 10/00 501

FI (2件)：

B23K 10/00 501 B ,  H01L 21/302 B

Fターム (11件)：

4E001AA02 ,  4E001BA04 ,  4E001CB05 ,  5F004BA20 ,  5F004BD01 ,  5F004CA05 ,  5F004DA23 ,  5F004DA26 ,  5F004DB26 ,  5F004EB05 ,  5F004EB08

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 表面処理方法及びその装置、半導体装置の製造方法及びその装置、並びに液晶ディスプレイの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-124250   出願人：セイコーエプソン株式会社
• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-240646   出願人：三菱電機株式会社
• 半導体製造装置及び半導体製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-071146   出願人：ソニー株式会社