特許
J-GLOBAL ID:200903052173794385

静磁場発生装置及び方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 高田 幸彦 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-072003
公開番号(公開出願番号):特開2000-262486
出願日: 1999年03月17日
公開日(公表日): 2000年09月26日
要約:
【要約】【課題】核磁気共鳴分析器の高性能化のために高磁場、高空間均一度及び高時間安定性を得るのに適した静磁場発生装置を提供すること。【解決手段】静磁場発生手段1の内側に試料空間11を囲むような円筒形状の第2種超伝導体による均一磁場保持手段2が配置され、さらに均一磁場保持手段2の消磁手段3、4が設置する。均一磁場保持手段2は超伝導体であるため磁気シールド機能を有し、したがって静磁場の時間安定性に貢献する。均一磁場保持手段2の消磁を行うことによって補正磁場を試料空間11に導くことができるために試料空間11の磁場分布を制御することができる。したがって、磁場の補正と均一磁場保持手段2の消磁を繰り返すことによって試料空間11に均一磁場を形成できる。
請求項(抜粋):
予め定められた空間に静磁場を発生させる静磁場発生手段と、前記空間に発生された静磁場の空間均一度を補正する手段と、前記空間を取り囲むように前記空間と前記静磁場発生手段との間に配置された第2種超伝導体と、該第2種超伝導体に遮蔽電流を形成するように前記第2種超伝導体を超伝導状態に保つ手段と、前記第2種超伝導体を消磁する手段とを含む静磁場発生装置。
IPC (4件):
A61B 5/055 ,  G01R 33/3875 ,  G01R 33/389 ,  H01F 6/00 ZAA
FI (4件):
A61B 5/05 332 ,  G01N 24/06 520 J ,  G01N 24/06 530 Z ,  H01F 7/22 ZAA A
Fターム (6件):
4C096AB32 ,  4C096AD08 ,  4C096CA02 ,  4C096CA22 ,  4C096CA38 ,  4C096DA04
引用特許:
審査官引用 (7件)
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