薄膜トランジスタとその製造方法および液晶表示装置ならびに薄膜成膜装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：志賀正武 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-242360
公開番号（公開出願番号）：特開2000-183359
出願日： 1999年08月27日
公開日（公表日）： 2000年06月30日
要約：

【要約】【課題】絶縁耐圧が良好であると同時に、隣接する半導体能動膜の所望のキャリア移動度を確保し得るゲート絶縁膜を有するTFTを提供する。【解決手段】透明基板2上に2層の絶縁膜からなるゲート絶縁膜4を挟んでゲート電極3と半導体能動膜7とが設けられるとともに、ゲート絶縁膜4が、ゲート電極3と半導体能動膜7との間の耐圧を向上させる第1のゲート絶縁膜5と、半導体能動膜7との間の界面特性を向上させる第2のゲート絶縁膜6とから構成されている。第1のゲート絶縁膜5、第2のゲート絶縁膜6はともにSiNx 膜であり、第1のゲート絶縁膜5の光学的バンドギャップの値が3.0ないし4.5eVの範囲にあるとともに、第2のゲート絶縁膜6の光学的バンドギャップの値が5.0ないし5.3eVの範囲にある。

請求項（抜粋）：

基板上に2層の絶縁膜からなるゲート絶縁膜を挟んでゲート電極と半導体能動膜とが設けられるとともに、前記ゲート絶縁膜が、前記ゲート電極側に設けられゲート電極と半導体能動膜との間の耐圧を向上させる第1のゲート絶縁膜と、前記半導体能動膜側に設けられ半導体能動膜との間の界面特性を向上させる第2のゲート絶縁膜とからなることを特徴とする薄膜トランジスタ。

IPC (5件)：

H01L 29/786 , G02F 1/1365 , H01L 21/316 , H01L 21/318 , H01L 21/336

FI (5件)：

H01L 29/78 617 U , H01L 21/316 X , H01L 21/318 B , G02F 1/136 500 , H01L 29/78 617 V

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開平2-244676
特開平4-006820
特開昭63-117469

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