特許

J-GLOBAL ID：200903074873380453

薄膜、薄膜形成方法及び装置

発明者： 鈴木 直樹 ,  澤田 和幸
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 青山 葆 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-062996
公開番号（公開出願番号）：特開平10-256243
出願日： 1997年03月17日
公開日（公表日）： 1998年09月25日
要約：

【要約】【課題】 損傷の少ない薄膜、損傷の少ない薄膜を成膜する薄膜形成方法及び装置を提供する。【解決手段】 反応ガス導入口5と真空排気口2を有する反応室1と、反応室内で基板10を載置する基板台と、基板台を加熱するヒーターブロック9と、ヒーターブロックに200kHz〜1MHzの高周波を印加する手段43,44,13と、基板台に対して対向位置に配置され、2MHz以上の高周波電力が供給される高周波電極3からなるプラズマCVD装置において、第一層成膜時には、高周波電極のみ高周波を印加し、第2層目成膜時には、上記ヒーターブロックおよび高周波電極に高周波を印加することにより、損傷を低減した膜を成膜することができる。また、同じ構成でのプラズマCVD装置において、第一層目の膜の圧縮応力が1×109dyn/cm2以下である膜を成膜することにより、損傷を低減した膜を成膜することができる。

請求項（抜粋）：

反応ガス導入口(5)と真空排気口(2)を有する反応室(1)内で基板(10)を加熱装置で加熱し、上記加熱装置に200kHz〜1MHzの高周波を印加可能にするとともに、上記基板に対して対向位置に配置され、2MHz以上の高周波電力が高周波電極(3)に供給されてプラズマCVDにより形成される薄膜であって、上記基板上に形成され、膜の圧縮応力が1×109dyn/cm2以下である第一層目の膜と、その後、上記第一層目の膜の上に成膜される第二層目の膜とを備えたことを特徴とする薄膜。

IPC (4件)：

H01L 21/31 ,  C23C 16/42 ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/205

FI (4件)：

H01L 21/31 C ,  C23C 16/42 ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/205

引用特許：

審査官引用 (6件)

• 特開昭62-052975
  
• 特開昭61-279132
  
• 特開平3-024268
  
• 特許第2976442号
  
• 化学気相成長において使用する薄膜形成の原料、ならびにこの原料を使用して基板上に薄膜を形成する化学気相成長方法および装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-116612   出願人：日本エー・エス・エム株式会社, 株式会社トリケミカル研究所
• プラズマCVD装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-120396   出願人：松下電器産業株式会社