特許
J-GLOBAL ID:200903052231200598
半導体装置およびその製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
山田 卓二
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2005-364408
公開番号(公開出願番号):特開2007-173272
出願日: 2005年12月19日
公開日(公表日): 2007年07月05日
要約:
【課題】長辺方向のみならず、短辺方向(ガラス繊維の配向方向とは直交する方向)においても樹脂パッケージの反りを抑制することができる半導体装置を提供する。【解決手段】半導体装置1は、放熱板20と、絶縁層22を介して放熱板20上に固着された配線パターン層24と、配線パターン層24上に実装された、少なくとも1つの表面電極を含む半導体素子26,28と、半導体素子26,28の表面電極上に電気的に接続された導電性リード板42と、線膨張率の異方性を有する熱可塑性樹脂からなり、放熱板20の少なくとも一部、配線パターン層24、半導体素子26,28、および導電性リード板42を包囲するように成形された樹脂パッケージ10とを備える。導電性リード板42は、樹脂パッケージ10の線膨張率が最大となる方向に沿って延びる。【選択図】図2
請求項(抜粋):
放熱板と、
絶縁層を介して前記放熱板上に固着された配線パターン層と、
前記配線パターン層上に実装された、少なくとも1つの表面電極を含む半導体素子と、
前記半導体素子の表面電極上に電気的に接続された導電性リード板と、
線膨張率の異方性を有する熱可塑性樹脂からなり、前記放熱板の少なくとも一部、前記配線パターン層、前記半導体素子、および前記導電性リード板を包囲するように成形された樹脂パッケージとを備え、
前記導電性リード板は、前記樹脂パッケージの線膨張率が最大となる方向に沿って延びることを特徴とする半導体装置。
IPC (4件):
H01L 23/29
, H01L 23/31
, H01L 25/18
, H01L 25/04
FI (2件):
H01L23/30 R
, H01L25/04 Z
Fターム (6件):
4M109AA01
, 4M109BA03
, 4M109DA10
, 4M109DB02
, 4M109EA12
, 4M109EA17
引用特許:
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