特許

J-GLOBAL ID：200903030990771342

混成集積回路装置

発明者： 西塔 秀史 ,  茂木 昌巳 ,  三野 勝義
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 芝野 正雅
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-121747
公開番号（公開出願番号）：特開2003-318333
出願日： 2002年04月24日
公開日（公表日）： 2003年11月07日
要約：

【要約】【課題】 混成集積回路装置10の反りを防止し且つ金属基板16が絶縁性樹脂12から離脱するのを防止する。【解決手段】 絶縁性樹脂12の上面に、金属基板16の長手方向に沿って、溝13を設ける。このことにより、溝13を設けた方向に曲げ応力が作用しても金属基板16に反りが発生してしまうのを防止することができる。そして、金属基板16のダレ面16Bを下方向にして、絶縁性樹脂12でモールドする。このことにより、ダレ面16Bの周辺部に絶縁性樹脂12が回り込み、金属基板16と絶縁性樹脂12との接着力が向上する。従って、金属基板16が絶縁性樹脂12から離脱するのを防止することができる。

請求項（抜粋）：

金属基板の表面に設けられた導電パターンと、前記導電パターンに固着された回路素子と、前記導電パターンと接続され、出力または入力となり外部に延在されるリードと、前記金属基板の少なくとも裏面を露出させて前記回路素子を封止する熱硬化性樹脂から成る絶縁性樹脂とを備えた混成集積回路装置に於いて、前記絶縁性樹脂の上面に溝を設けることで、装置全体の反りを防止することを特徴とする混成集積回路装置。

FI (2件)：

H01L 23/28 E ,  H01L 23/28 J

Fターム (7件)：

4M109AA01 ,  4M109BA03 ,  4M109CA21 ,  4M109DA08 ,  4M109DB02 ,  4M109EA11 ,  4M109GA02

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 電子部品のパッケージ構造
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-209765   出願人：ローム株式会社
• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-197084   出願人：株式会社日立製作所
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-104148   出願人：日本テキサス・インスツルメンツ株式会社
• 複合半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-121645   出願人：日本インター株式会社