特許

J-GLOBAL ID：200903052233074239

半導体酸化物膜およびその製造方法、ならびに半導体酸化物膜を用いた水素発生装置

発明者： 横沢 雄二
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (7件)： 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  野田 久登 ,  酒井 將行 ,  荒川 伸夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-125916
公開番号（公開出願番号）：特開2009-274891
出願日： 2008年05月13日
公開日（公表日）： 2009年11月26日
要約：

【課題】従来よりも光電変換効率が改善された光触媒膜として用いられ得る新規な膜およびその製造方法、ならびに、このような膜を用いた、水溶液から水素を発生するのに適した水素発生装置を提供する。【解決手段】光を吸収して電子と正孔を生じる半導体酸化物で形成された膜であって、当該半導体酸化物が、Feに対するWの原子数比0.02〜0.08のW含有Fe2O3である半導体酸化物膜およびその製造方法、ならびに、当該膜を用いた水素発生装置。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

光を吸収して電子と正孔を生じる半導体酸化物で形成された膜であって、当該半導体酸化物が、Feに対するWの原子数比0.02〜0.08のW含有Fe2O3である、半導体酸化物膜。

IPC (5件)：

C01G 49/00 ,  H01M 8/06 ,  H01M 8/00 ,  C01B 3/04 ,  C25B 1/04

FI (5件)：

C01G49/00 A ,  H01M8/06 R ,  H01M8/00 Z ,  C01B3/04 A ,  C25B1/04

Fターム (16件)：

4G002AA06 ,  4G002AB01 ,  4G002AD04 ,  4G002AE05 ,  4K021AA01 ,  4K021BA01 ,  4K021BB02 ,  4K021CA03 ,  4K021CA05 ,  4K021CA09 ,  4K021DA09 ,  4K021DA10 ,  4K021DA13 ,  4K021DC03 ,  5H027AA02 ,  5H027BA11

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 可視光による水開裂用のタンデム電池
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2001-508393   出願人：エコルポリテクニクフェデラルドゥローザンヌ(エペエフエル)
• 酸化鉄の光触媒膜、かかる光触媒膜を有する電極、かかる膜を製造する方法、該電極を有する光電気化学セル、および該セルを有する光電気化学システム
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2002-515418   出願人：ザハイドロジェンソーラープロダクションカンパニイリミテッド