特許
J-GLOBAL ID：200903052245396231

半導体装置の製造方法及びその方法に用いられる半導体ウェハホルダ

発明者：
石丸 敏之

石丸 敏之 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 松山 允之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-307777
公開番号（公開出願番号）：特開2006-120889
出願日： 2004年10月22日
公開日（公表日）： 2006年05月11日
要約：
【課題】 半導体基板(以下ウェハ)の液浸露光方法において、ウェハ周辺に露光が可能とする方法を提供する。【解決手段】 ウェハエッジに半導体装置を作製する為、ウェハのエッジに他の部材にて適度な力で密着させウェハエッジから液浸液の零れを防止し、液浸液を投影光学系とウェハ間に均一に液盛りをする方法であって、本発明で用いるウェハホルダは、ウェハエッジを液浸液がウェハチャック、ウェハ裏面及びウェハステージに漏洩もしくは液垂れしないようにウェハエッジ3mm以内即ちウェハエッジ付近にて密着させる機能を有する。代表的例は、ウェハを支持するとともにウェハを吸着固定するウェハチャック2、ウェハエッジからの液漏れを防止するエッジ密着材6、エッジ密着材を駆動させるユニット、ウェハ外周部にウェハ表面とほぼ同じ高さのプレート5を設置したものからなる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
フォトリソグラフィ工程の液浸露光を用いて、半導体装置を製造する際、半導体ウェハ側面付近にて他の部材にて密着させ液浸液が、前記半導体ウェハ裏面への回り込みを防止し、前記半導体ウェハ周辺部においても前記半導体ウェハ中心と同様均一に保持できるようにしたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/027 ,  G03F 7/20 ,  H01L 21/683
FI (4件)：
H01L21/30 515D ,  G03F7/20 521 ,  H01L21/68 P ,  H01L21/30 515G
Fターム (11件)：
5F031CA02 ,  5F031HA13 ,  5F031JA35 ,  5F031KA14 ,  5F031LA07 ,  5F031MA27 ,  5F031PA30 ,  5F046BA04 ,  5F046CB01 ,  5F046CB26 ,  5F046CC08
引用特許：
出願人引用 (3件)

前のページに戻る

TOP

BOTTOM