特許
J-GLOBAL ID:200903052265061856
多層配線構造
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (2件):
高橋 敬四郎
, 来山 幹雄
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-095535
公開番号(公開出願番号):特開2005-285970
出願日: 2004年03月29日
公開日(公表日): 2005年10月13日
要約:
【課題】 導電性のパターンを配置することができない領域があっても、CMP後の表面の平坦度を高めることが可能な多層配線構造を提供する。【解決手段】 支持基板(20)の表面に、第1の領域(10)、該第1の領域を取り囲む環状の第2の領域(11)、及び該第2の領域を取り囲む第3の領域(12)が画定されている。支持基板の上に第1の配線層(M8L)が配置されている。第1の配線層の第3の領域内に配線が形成され、第2の領域内にダミーパターンが形成され、第1の領域内には導電パターンが形成されていない。第1の配線層の上であって、かつ第1の領域内に機能素子(1)が配置されている。【選択図】 図2
請求項(抜粋):
表面に、第1の領域、該第1の領域を取り囲む環状の第2の領域、及び該第2の領域を取り囲む第3の領域が画定された支持基板と、
前記支持基板の上に配置され、前記第3の領域内に配線が形成され、前記第2の領域内にダミーパターンが形成され、前記第1の領域内には導電パターンが形成されていない第1の配線層と、
前記第1の配線層の上であって、かつ前記第1の領域内に配置された機能素子と
を有する多層配線構造。
IPC (3件):
H01L21/3205
, H01L21/822
, H01L27/04
FI (3件):
H01L21/88 K
, H01L27/04 L
, H01L27/04 D
Fターム (34件):
5F033HH11
, 5F033HH21
, 5F033JJ19
, 5F033JJ33
, 5F033KK01
, 5F033KK11
, 5F033KK21
, 5F033MM02
, 5F033MM12
, 5F033MM13
, 5F033NN06
, 5F033NN07
, 5F033PP15
, 5F033PP27
, 5F033PP33
, 5F033QQ09
, 5F033QQ25
, 5F033QQ37
, 5F033RR01
, 5F033RR04
, 5F033RR11
, 5F033UU04
, 5F033VV01
, 5F033VV08
, 5F033XX01
, 5F038AZ04
, 5F038CA02
, 5F038CA05
, 5F038CA16
, 5F038CA18
, 5F038CD18
, 5F038EZ11
, 5F038EZ15
, 5F038EZ20
引用特許:
前のページに戻る