特許
J-GLOBAL ID:200903052302770404

半導体装置及びその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 綿貫 隆夫 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-198618
公開番号(公開出願番号):特開2001-024145
出願日: 1999年07月13日
公開日(公表日): 2001年01月26日
要約:
【要約】【課題】 半導体素子と略同寸法に形成した小型のアンテナ付きの半導体装置を容易に製造可能とする。【解決手段】 信号授受用のアンテナ20と半導体素子12とが電気的に接続されたアンテナ付きの半導体装置であって、前記アンテナ20が、半導体素子12の平面形状と略同寸法に、金属薄板のプレス加工あるいはエッチング加工により形成され、前記半導体素子12の素子面に前記アンテナ20が一体に接合されている。アンテナ20は絶縁層を介して複数層に積層して形成され、各層に形成されたアンテナが電気的に直列に接続されている。
請求項(抜粋):
信号授受用のアンテナと半導体素子とが電気的に接続されたアンテナ付きの半導体装置であって、前記アンテナが、半導体素子の平面形状と略同寸法に、金属薄板のプレス加工あるいはエッチング加工により形成され、前記半導体素子の素子面に前記アンテナが一体に接合されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (4件):
H01L 25/00 ,  G06K 19/07 ,  G06K 19/077 ,  H01L 21/301
FI (4件):
H01L 25/00 B ,  G06K 19/00 H ,  G06K 19/00 K ,  H01L 21/78 A
Fターム (3件):
5B035BB09 ,  5B035CA01 ,  5B035CA23
引用特許:
審査官引用 (2件)

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