特許
J-GLOBAL ID：200903052311987106

半導体装置の裏面解析用基板

発明者：
北畑 秀樹

北畑 秀樹 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： 堀 城之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-207081
公開番号（公開出願番号）：特開2001-033515
出願日： 1999年07月22日
公開日（公表日）： 2001年02月09日
要約：
【要約】【課題】 本発明は、二種以上の半導体チップに対し共通で使用できるようにすることにより、解析コストの低減と解析に要する時間の短縮を可能にする半導体装置の裏面解析用基板を提供する事を目的とする。【解決手段】 半導体チップの電極とフリップチップ方式で接続される電極端子を備える半導体装置の裏面解析用基板であって、前記裏面解析用基板上面に配置された、一つ或いは複数個、電気的に直列に接続された前記電極端子を有する複数の第一電極と、前記複数の第一電極のうちのひとつと電気的に接続され、外部との電気的接続を行う為の複数の第二電極とを備えることを特徴とする半導体装置の裏面解析用基板。
請求項（抜粋）：
半導体チップの電極とフリップチップ方式で接続される電極端子を備える半導体装置の裏面解析用基板であって、前記裏面解析用基板上面に配置された、一つ或いは複数個、電気的に直列に接続された前記電極端子を有する複数の第一電極と、前記複数の第一電極のうちのひとつと電気的に接続され、外部との電気的接続を行う為の複数の第二電極とを備えることを特徴とする半導体装置の裏面解析用基板。
IPC (4件)：
G01R 31/26 ,  G01R 1/06 ,  G01R 31/302 ,  H01L 23/12
FI (4件)：
G01R 31/26 J ,  G01R 1/06 F ,  G01R 31/28 L ,  H01L 23/12 E
Fターム (12件)：
2G003AA07 ,  2G003AG03 ,  2G003AG08 ,  2G003AG18 ,  2G003AH04 ,  2G011AA10 ,  2G011AA15 ,  2G011AE03 ,  2G011AF06 ,  2G032AF03 ,  2G032AF06 ,  2G032AK04
引用特許：
審査官引用 (3件)

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