特許

J-GLOBAL ID：200903052322520960

半導体装置およびその製造方法

発明者： 川辺 光央 ,  赤羽 浩一
出願人/特許権者： 筑波大学長
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-397796
公開番号（公開出願番号）：特開2003-197900
出願日： 2001年12月27日
公開日（公表日）： 2003年07月11日
要約：

【要約】【課題】量子ドット層の積層数の増加に伴う量子ドットの形状劣化や配列の乱れを抑制して、量子ドット層の高密度化を図る。【解決手段】量子ドットレーザの製造方法において、InP(3 1 1)B基板1の表面1aに原子状水素を放射して清浄化する。続けて表面1aに原子状水素を供給しつつ、ガス状のInおよびAsを用いてMBE法を実行し、基板1のPを蒸発させて雰囲気中のAsと置換させ、基板1よりも格子定数が大きい第1層目のInAsxP1-x量子ドット層2aを基板1上にエピタキシャル成長させる。このドット層2a上にIn0.52Ga0.1Al0.38Asバッファ層4を成長させた後、ドット層2a,2bの合計が20層に達するまで、格子定数が基板1よりも大きいInAs量子ドット層2bと格子定数が基板1よりも小さいIn0.47Ga0.11Al0.42As中間層3とを、交互に連続成長させて積層する。

請求項（抜粋）：

化合物半導体基板と、この基板上に、該基板よりも格子定数の大きい化合物半導体材料からなる量子ドット層と該基板よりも格子定数の小さい化合物半導体材料からなる中間層とを交互に積層してなる多層構造部と、を具備することを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 29/06 601 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/203 ,  H01S 5/343

FI (4件)：

H01L 29/06 601 D ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/203 M ,  H01S 5/343

Fターム (16件)：

5F052JA07 ,  5F052KA01 ,  5F052KA05 ,  5F073AA75 ,  5F073CB02 ,  5F073CB09 ,  5F073EA29 ,  5F103AA04 ,  5F103BB57 ,  5F103DD30 ,  5F103GG01 ,  5F103HH03 ,  5F103LL03 ,  5F103PP01 ,  5F103PP18 ,  5F103RR06

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 非線形光学装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-219507   出願人：富士通株式会社
• 半導体フォト・ホール・バーニング・メモリ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-211665   出願人：富士通株式会社

引用文献：

審査官引用 (1件)

• "InP(311)B基板上におけるInAs量子ドット積層構造の作製と1.55um帯発光"