特許
J-GLOBAL ID：200903052333703918

液晶表示装置

発明者：
神野 優志

神野 優志 について


出願人/特許権者：
三洋電機株式会社

三洋電機株式会社 について


代理人 (1件)： 岡田 敬
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-306559
公開番号（公開出願番号）：特開平8-160464
出願日： 1994年12月09日
公開日（公表日）： 1996年06月21日
要約：
【要約】【目的】 p-SiTFTを用いた駆動回路内蔵型液晶表示装置において、画素部と駆動回路部で、トランジスタのチャンネルコンダクタンスを異ならせることにより、電圧保持率を向上すると共に、駆動能力を向上する。【構成】 LDD構造のTFTにおいて、画素部の低濃度領域(n-)の幅(L1)を長く、駆動回路部の低濃度領域(n-)の幅を短く形成する。これにより、画素部では、OFF抵抗が増大して電圧保持率が向上するとともに、駆動回路部では、移動度が上昇して駆動能力が向上する。
請求項（抜粋）：
基板上に互いに交差して配置されたゲートライン群とドレンライン群の各交差部に形成された第1の薄膜トランジスタ群と、前記ゲートライン及びドレインラインを駆動する駆動回路部を構成する第2の薄膜トランジスタ群とが形成された液晶表示装置において、前記第1及び第2の薄膜トランジスタは、半導体層として、多結晶シリコンを用い、そのソース及びドレイン領域は複数回の不純物のドーピングにより異なる濃度で低抵抗化された高濃度領域と低濃度領域からなり、かつ、前記第2の薄膜トランジスタは前記第1の薄膜トランジスタに比べて、前記低濃度領域が小さく形成されていることを特徴とする液晶表示装置。
IPC (3件)：
G02F 1/136 500 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336
FI (2件)：
H01L 29/78 612 B ,  H01L 29/78 616 A
引用特許：
審査官引用 (3件)

前のページに戻る

TOP

BOTTOM