特許
J-GLOBAL ID：200903052391485211

プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法

発明者：
高橋 主人

高橋 主人 について

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増田 俊夫

増田 俊夫 について

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加治 哲徳

加治 哲徳 について

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横川 賢悦

横川 賢悦 について


出願人/特許権者：
株式会社日立製作所

株式会社日立製作所 について


代理人 (1件)： 高田 幸彦 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-289696
公開番号（公開出願番号）：特開2000-124190
出願日： 1998年10月12日
公開日（公表日）： 2000年04月28日
要約：
【要約】【課題】 酸化膜エッチングには、適度なCF3、CF2、CF、Fの比のプラズマが必要であるとともに、エッチング室の温度変動によりエッチング特性が変動するという課題がある。【解決手段】 電子温度が低いUHF型ECRプラズマエッチング装置を用いて適度な解離を得、側壁の温度調節範囲を10°Cから120°Cにすることで安定なエッチング特性を得る。低電子温度高密度プラズマを用いた酸化膜エッチングができるので、優れた特性のエッチング結果が得られるとともに、側壁温度調節範囲が低いので、装置構造や耐熱性対策が容易になる。
請求項（抜粋）：
真空処理室と、該真空処理室内で処理される試料を載置するための試料台と、プラズマ生成手段とを有するプラズマ処理装置であって、少なくとも炭素とフッ素を含むガスを導入してプラズマを生成し、プラズマ解離によって炭素とフッ素を含むガス種を発生させてプラズマ処理を行うにあたり、該プラズマ生成手段は、プラズマ解離の度合いが中程度で炭素とフッ素からなるガス種が十分プラズマ中に生成しているプラズマ生成手段であって、 該真空処理室の真空壁を形成している領域の温度を、10°Cから120°Cの範囲に制御したことを特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (3件)：
H01L 21/3065 ,  C23F 4/00 ,  H05H 1/46
FI (4件)：
H01L 21/302 B ,  C23F 4/00 D ,  C23F 4/00 G ,  H05H 1/46 C
Fターム (35件)：
4K057DA11 ,  4K057DA16 ,  4K057DB20 ,  4K057DD05 ,  4K057DD08 ,  4K057DE06 ,  4K057DE14 ,  4K057DE20 ,  4K057DG14 ,  4K057DG16 ,  4K057DG18 ,  4K057DM02 ,  4K057DM05 ,  4K057DM18 ,  4K057DM20 ,  4K057DM35 ,  4K057DM37 ,  4K057DN01 ,  5F004AA16 ,  5F004BA04 ,  5F004BA08 ,  5F004BA09 ,  5F004BA14 ,  5F004BB11 ,  5F004BB13 ,  5F004BB18 ,  5F004BB22 ,  5F004CA09 ,  5F004DA00 ,  5F004DA16 ,  5F004DA23 ,  5F004DA24 ,  5F004DA26 ,  5F004DB00 ,  5F004DB03
引用特許：
審査官引用 (4件)
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