特許
J-GLOBAL ID：200903052449765198

基板処理方法、基板処理装置及び記憶媒体

発明者：
戸澤 茂樹

戸澤 茂樹 について


出願人/特許権者：
東京エレクトロン株式会社

東京エレクトロン株式会社 について


代理人 (1件)： 高山 宏志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-336521
公開番号（公開出願番号）：特開2009-158774
出願日： 2007年12月27日
公開日（公表日）： 2009年07月16日
要約：
【課題】 異常な反応を起こる可能性を低減し、半導体集積回路装置の特性並びに歩留りの維持、向上を図ることが可能な基板処理方法を提供すること。【解決手段】 被処理基板(W)を、弗素を含む処理ガスを含む雰囲気下でガス処理し、被処理基板(W)の表面に弗素を含む反応生成物(312)を形成する第1の工程と、ガス処理後の被処理基板(W)を加熱処理し、弗素と反応する反応ガスを含む雰囲気下でガス処理する第2の工程と、を具備する。【選択図】図7
請求項（抜粋）：
被処理基板を、弗素を含む処理ガスを含む雰囲気下でガス処理し、前記被処理基板の表面に弗素を含む反応生成物を形成する第1の工程と、 前記ガス処理後の被処理基板を加熱処理し、弗素と反応する反応ガスを含む雰囲気下でガス処理する第2の工程と、 を具備することを特徴とする基板処理方法。
IPC (2件)：
H01L 21/302 ,  H01L 21/768
FI (2件)：
H01L21/302 201A ,  H01L21/90 A
Fターム (42件)：
5F004AA09 ,  5F004AA14 ,  5F004BA19 ,  5F004BB28 ,  5F004BC05 ,  5F004BC06 ,  5F004CA02 ,  5F004DA00 ,  5F004DA17 ,  5F004DA20 ,  5F004DA23 ,  5F004DA24 ,  5F004DA25 ,  5F004DB03 ,  5F004EA34 ,  5F004EB01 ,  5F033HH04 ,  5F033KK01 ,  5F033MM15 ,  5F033NN40 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ15 ,  5F033QQ35 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ71 ,  5F033QQ73 ,  5F033QQ74 ,  5F033QQ76 ,  5F033QQ92 ,  5F033QQ94 ,  5F033QQ95 ,  5F033QQ98 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR09 ,  5F033SS25 ,  5F033SS27 ,  5F033TT08 ,  5F033VV06 ,  5F033XX03 ,  5F033XX21
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (5件)
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