特許
J-GLOBAL ID:200903027386558338
被処理体処理装置、その被処理体処理方法、圧力制御方法、被処理体搬送方法、及び搬送装置
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
渡部 敏彦
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-422821
公開番号(公開出願番号):特開2005-039185
出願日: 2003年12月19日
公開日(公表日): 2005年02月10日
要約:
【課題】 複数の処理を効率良く行うことができる真空処理装置を提供する。 【解決手段】 真空処理装置100は、被処理体を処理する第1の真空処理室10と第2の真空処理装置30とが連通自在且つ縦列に連結されており、さらに、被処理体を真空処理室10,30のそれぞれの間で搬入し、搬出する搬送機構52を備えたロードロック室50が第2の真空処理装置30に連通自在に縦列に連結されている。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
被処理体を処理する被処理体処理装置において、
連通自在且つ縦列に連結された、前記被処理体を処理する複数の処理室と、
前記複数の処理室と連通自在に連結され、前記被処理体を前記複数の処理室のそれぞれとの間で搬出入する搬送機構を備えたロードロック室とを備え、
前記複数の処理室のうち少なくとも1つは真空処理室であり、前記ロードロック室は、前記複数の処理室と縦列をなす位置に配置されることを特徴とする被処理体処理装置。
IPC (3件):
H01L21/68
, B65G49/00
, H01L21/3065
FI (3件):
H01L21/68 A
, B65G49/00 A
, H01L21/302 101G
Fターム (31件):
4K030CA04
, 4K030CA12
, 4K030DA08
, 4K030DA09
, 4K030GA12
, 4K030JA09
, 4K030KA39
, 4K030KA41
, 5F004AA16
, 5F004BA19
, 5F004BC05
, 5F004BC06
, 5F004EA40
, 5F031CA02
, 5F031GA35
, 5F031GA43
, 5F031JA01
, 5F031JA06
, 5F031JA17
, 5F031JA22
, 5F031JA29
, 5F031JA32
, 5F031KA11
, 5F031KA13
, 5F031LA13
, 5F031MA21
, 5F031MA28
, 5F031NA04
, 5F031NA05
, 5F031NA07
, 5F031PA02
引用特許:
出願人引用 (4件)
-
マルチチャンバ処理システム用搬送装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平7-122522
出願人:東京エレクトロン株式会社
-
真空処理装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平11-367561
出願人:東京エレクトロン株式会社
-
真空処理システム
公報種別:公開公報
出願番号:特願平10-343596
出願人:東京エレクトロン株式会社
-
米国特許第6440808号明細書
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審査官引用 (6件)
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真空処理システム
公報種別:公開公報
出願番号:特願平10-343596
出願人:東京エレクトロン株式会社
-
基板処理装置及び基板搬送用トレイの搬送制御方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平11-318446
出願人:シャープ株式会社
-
基板処理装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平9-212551
出願人:国際電気株式会社
-
半導体製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平10-170827
出願人:松下電器産業株式会社
-
減圧処理装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-222063
出願人:東京エレクトロン株式会社
-
薄膜形成装置および薄膜形成方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平6-208427
出願人:松下電器産業株式会社
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