特許
J-GLOBAL ID：200903043155634126
基板を処理する処理システムおよび方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (11件)：
鈴江 武彦
, 河野 哲
, 中村 誠
, 蔵田 昌俊
, 峰 隆司
, 福原 淑弘
, 白根 俊郎
, 村松 貞男
, 野河 信久
, 橋本 良郎
, 風間 鉄也
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-507204
公開番号（公開出願番号）：特表2006-523379
出願日： 2004年03月16日
公開日（公表日）： 2006年10月12日
要約：
【課題】基板を処理する処理システムおよび方法。【解決手段】 化学的酸化物除去(COR)のための処理システムおよび方法であって、この処理システムは、互いに結合された第1の処理チャンバおよび第2の処理室を含む。第1の処理チャンバは、化学処理のために、温度制御されるチャンバ、独立して温度制御される基板を支持する基板ホルダを提供する化学処理チャンバを具備する。基板は、表面温度およびガス圧を含む制御された状態下で、ガス化学(例えばHF/NH3)にさらされる。第2の処理チャンバは、化学的処理チャンバから熱的に絶縁された温度制御されるチャンバを提供する熱処理チャンバを具備する。熱処理チャンバは、基板上の化学的に処理された表面を熱的に処理するように基板の温度を制御する基板ホルダを提供する。
請求項（抜粋）：
温度制御される化学的処理チャンバと、前記化学的処理チャンバ内にマウントされ、前記化学的処理チャンバから実質的に熱的に絶縁されるように構成された温度制御される基板ホルダと、前記化学的処理チャンバに組み合わされた真空排気システムと、1つ以上のプロセスガスを前記化学的処理チャンバに導入するように構成され、前記化学的処理チャンバの前記1つ以上のプロセスガスにさらされかつ温度制御される部分を有しているガス分配システムとを含む化学的に基板上のさらされた表面層を変更する化学的処理システムと、
温度制御される熱処理チャンバと、前記熱処理チャンバ内にマウントされて、かつ前記熱処理チャンバから実質的に熱的に絶縁されるように構成されかつ温度制御される基板ホルダと、前記熱処理チャンバに組み合わされた真空排気システムとを備えた、前記基板上の前記化学的に変更された表面層を熱的に処理する熱処理システムと、
前記熱処理システムと前記化学的処理システムとの間に配置されたアイソレーションアセンブリと、を具備する基板を処理する処理システム。
IPC (4件)：
H01L 21/306
, H01L 21/02
, H01L 21/683
, H05H 1/46
H01L21/302 104H
, H01L21/02 Z
, H01L21/68 N
, H05H1/46 M
5F004AA01
, 5F004BA14
, 5F004BB14
, 5F004BB18
, 5F004BB26
, 5F004BC06
, 5F004DA00
, 5F004DA20
, 5F004DB03
, 5F004FA01
, 5F031CA02
, 5F031HA02
, 5F031MA32
, 5F031PA30
