特許
J-GLOBAL ID：200903052463093305

半導体装置の製造方法、半導体装置、積層半導体装置、回路基板、及び電子機器

発明者：
深澤 元彦

深澤 元彦 について


出願人/特許権者：
セイコーエプソン株式会社

セイコーエプソン株式会社 について


代理人 (3件)： 西 和哉 ,  志賀 正武 ,  青山 正和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-372795
公開番号（公開出願番号）：特開2006-179752
出願日： 2004年12月24日
公開日（公表日）： 2006年07月06日
要約：
【課題】 半導体ウエハから個片化される半導体素子の強度を向上させた、半導体装置の製造方法、半導体装置、積層半導体装置、回路基板、及び電子機器を提供する。【解決手段】 半導体素子10と、この半導体素子10を貫通し、半導体素子10の集積回路が形成された能動面10A側、及びその裏面10B側に突出する貫通電極12と、を備えた半導体装置1である。 半導体素子10の裏面10B側の端縁部が、外側に向かって湾曲した状態に形成されている。【選択図】 図9
請求項（抜粋）：
複数の半導体素子部を含む半導体ウエハにおける、前記各半導体素子部に貫通電極を形成した後、前記半導体素子部を個片化する半導体装置の製造方法において、 前記半導体素子部の能動面側に穴部を形成し、該穴部内に絶縁膜を形成し、該絶縁層を介して前記能動面から突出させるようにして導電材料を埋め込むことで導電部を形成する工程と、 前記半導体ウエハの能動面側の素子領域外周に設けた切断領域に前記半導体ウエハを貫通しない第1の溝部を形成する工程と、 半導体ウエハと支持体とを接着層を介して貼着し、前記能動面と反対側の裏面を前記絶縁膜を露出させないように薄厚化する工程と、 その後、前記第1の溝部の直上となる前記裏面側に、該第1の溝部まで貫通しない第2の溝部を形成する工程と、 前記半導体ウエハの裏面側から等方性エッチングによって前記絶縁膜を露出させるように前記半導体ウエハを薄厚化しつつ、前記第1の溝部と前記第2の溝部とを連通させることで前記半導体素子部毎に分割し半導体素子とする工程と、 前記裏面側からエッチングによって、前記絶縁膜から前記導電部を露出させて貫通電極を形成する工程と、 前記支持体から前記半導体素子を剥離する工程と、 を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (8件)：
H01L 23/12 ,  H01L 21/56 ,  H01L 25/18 ,  H01L 25/11 ,  H01L 25/10 ,  H01L 23/52 ,  H01L 21/320 ,  H01L 21/301
FI (5件)：
H01L23/12 501P ,  H01L21/56 R ,  H01L25/14 Z ,  H01L21/88 J ,  H01L21/78 S
Fターム (32件)：
5F033HH09 ,  5F033HH11 ,  5F033HH18 ,  5F033HH23 ,  5F033HH33 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ23 ,  5F033KK09 ,  5F033KK18 ,  5F033KK33 ,  5F033MM08 ,  5F033MM13 ,  5F033MM30 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033NN17 ,  5F033PP15 ,  5F033PP19 ,  5F033PP20 ,  5F033PP27 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR15 ,  5F033RR22 ,  5F033SS04 ,  5F033SS11 ,  5F033SS15 ,  5F033TT07 ,  5F061AA01 ,  5F061BA07 ,  5F061CA10 ,  5F061CB13
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (4件)
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